Халькогениды - свинец
Cтраница 1
 |
Основные физические свойства халькогенидов свинца. [1] |
Халькогениды свинца используют для изготовления фоторезисторов в инфракрасной технике, инфракрасных лазеров, тензометров и термогенераторов, работающих в интервале температур от комнатной до 600 С. [2]
Халькогениды свинца и SnTe являются веществами нестехио-метрического состава. Область устойчивости гомогенной фазы при отклонении от стехиометрии ( в атомных процентах) довольно узка, в то же время ей соответствует большой диапазон концентраций свободных носителей. [3]
Халькогениды свинца обладают необычными гальваномагнитными свойствами. Такая подвижность при сравнительно высоких концентрациях носителей свидетельствует о слабом рассеянии их на ионизованных примесях, что обусловлено, по предположению Бурштейна и Эгли [26], большим значением статической диэлектрической проницаемости. [4]
Халькогениды свинца, за исключением PbS, обладают неизотропной энергетической поверхностью, и время релаксации зависит от энергии. Работами Олгейера [33], Стайлса и др. [34] и Куглина и др. [35] было установлено, что энергетическими поверхностями для валентной зоны и зоны проводимости являются вытянутые эллипсоиды, локализованные в точке ( 111) зоны Бриллюэна. В результате этого продольное магнитосопротивление больше, чем поперечное. [5]
Халькогениды свинца являются полупроводниками со сравнительно узкой запрещенной зоной. Полоса плазменных колебаний вследствие высокой концентрации свободных носителей лежит в области 10 - 50 мкм. [6]
Халькогениды свинца обладают полярной решеткой с относительно высокой концентрацией свободных носителей. Электромагнитное излучение на частотах ниже фундаментальной полосы поглощения может возбудить как плазменные колебания, так и оптическую ветвь колебаний решетки. Здесь мы приводим краткое рассмотрение зависимости оптических констант от микроскопических процессов. [7]
 |
Электрофизические свойства SiC.| Электрофизические свойства TiO2, Ti2O3, TiO. [8] |
Халькогениды свинца обладают аномально высокой диэлектри - 22.178. Температурные зависимости дрейфовых ческой проницаемостью. [9]
 |
Электрофизические свойства халькогенидов IV группы. [10] |
Халькогениды свинца, SnTe и высокотемпературная модификация p - GeTe кристаллизуются в ГЦК-решетке типа NaCl. Сульфиды и селениды германия и олова кристаллизуются в орторомбической решетке типа SnS; такую же решетку имеет y - GeTe, устойчивый при повышенном содержании теллура. Орторомбическую решетку можно рассматривать как деформированную решетку типа NaCl, где каждый атом имеет координационное окружение в виде сильно искаженного октаэдра. [11]
Халькогениды свинца имеют электропроводность n - типа при избытке свинца относительно стехиометрического состава и проводимость р-типа при избытке халькогена. Халькогениды олова, как и GeTe, имеют электропроводность р-типа. [12]
Халькогениды свинца обладают аномально высокой диэлектрической проницаемостью. [14]
Страницы: 1 2 3