Халькогениды - свинец
Cтраница 2
Халькогениды свинца обладают аномально высокой диэлектрической проницаемостью. [16]
 |
Физические свойства оптической керамики. [17] |
Халькогениды свинца, теллур ид олова и высокотемпературная модификация теллурида германия p - GeTe кристаллизуются в кубической гранецентрированной решетке типа NaCl. Сульфиды и селениды германия, а также олова, кристаллизуются в орторомбической решетке типа SnS. Такую же кристаллическую решетку имеет и теллурид германия модификации у - ОеТе, которая устойчива при повышенном содержании теллура. Орторомбиче-скую решетку можно рассматривать как деформированную решетку типа NaCl, где каждый атом имеет координационное окружение в виде сильно искаженного октаэдра. [18]
Халькогениды свинца обладают электропроводностью л-типа при избытке свинца относительно стехиометрического состава и проводимостью р-типа при избытке халькогена. [19]
Но некоторые полупроводники, прежде всего халькогениды свинца аномальны: их ЛЕ с температурой растет. Ход Л - Е представляет большой интерес в связи со структурой энергических зон таких веществ. [20]
Среди полупроводниковых соединений типа AIVBVI наиболее изученными являются халькогениды свинца: PbS, PbSe, PbTe. Сульфид, селенид и теллурид свинца в естественном состоянии встречаются в виде минералов галенита, клаусталита и алтаита. [21]
В этом разделе мы рассмотрим носители в многодолинных полупроводниках, таких, как - Si, n - Ge или халькогениды свинца, в которых каждая компонента плазмы анизотропна, что приводит к новым особенностям в спектрах рассеяния света. [22]
Из табл. 8.4 видно, что эти соединения являются узкозонными полупроводниками. Халькогениды свинца используют для изготовления фоторезисторов в инфракрасной технике, инфракрасных лазеров, тензометров и термогенераторов, работающих в интервале температур от комнатной до 600 С. [23]
Халькогениды свинца интересны тем, что используются в виде тонких пленок в качестве фотосопротивлений, очень чувствительных к инфракрасным лучам. Все три халькогенида имеют структуру типа NaCl и являются двусторонними фазами вычитания переменного состава. [24]
Монокристаллы PbS, PbSe и РЬТе выращивают обычно из паровой фазы при повышенной температуре, контролируя давление паров и стехиометрический состав, и другими методами. Все указанные халькогениды свинца имеют кристаллические решетки типа NaCl. [25]
По типу кристаллической решетки монохалькогениды элементов подгруппы германия делятся на две группы. Высокотемпературная модификация GeTe, халькогениды свинца и SnTe кристаллизуются в решетке поваренной соли. Ко второй группе монохалькогенидов, кристаллизующихся в орторомбической решетке, относятся GeS, GeSe, SnS и SnSe. [26]
Важным преимуществом эпитаксиальных пленок является простота контроля толщины при испарении, что затруднительно в случае изготовления тонких образцов из монокристаллов. В таких полупроводниках, как халькогениды свинца, обладающих высокой концентрацией носителей, очень трудно или совсем невозможно наблюдать поверхностные эффекты даже на кристаллах толщиной 10 мкм. [27]
Рассмотрение того или иного бинарного соединения как однокомпонентной или двухкомпонентной системы в первую очередь зависит от поставленной перед экспериментатором задачи, чувствительности аппаратуры и точности метода исследования. Учет областей гомогенности у таких соединений, как халькогениды свинца ( у этих соединений отклонение от стехиометрического состава составляет несколько единиц в четвертом знаке после запятой ат. И в то же время столь малые изменения состава не приводят к измеримым отклонениям в величинах теплот сублимации. Поэтому при определении этой величины вполне достаточным оказывается рассмотрение данного соединения как конгруэнтно сублимирующегося во всем интервале температур. [28]
Монокристаллы PbS, PbSe и РЬТе выращивают обычно из паровой фазы при повышенной температуре, контролируя давление паров и стехиометрический состав ( гл. Все указанные халькогениды свинца имеют кристаллические решетки типа NaCl. Химическая связь между атомами в них по преимуществу ко-валентная. В табл. 26 приведена их характеристика. [29]
Диоксид германия используется при изготовлении специальных сортов оптического стекла с высоким показателем преломления. Галогениды германия широко применяют в полупроводниковой технике как для получения чистого германия, так и в ряде технологических процессов при производстве полупроводниковых приборов. Возрастающее значение имеют халькогениды свинца в качестве термоэлектрических полупроводниковых материалов, в ПК-технике. [30]
Страницы: 1 2 3