Халькопирит

Cтраница 3

Динамика выщелачивания галенита.| Динамика выщелачивания пирита. [31]

Скорость выщелачивания составляющей халькопирита CuS примерно в 3 раза ниже, чем скорость выщелачивания FeS в начальный период. Во время процесса выщелачивания образуется ковеллин ( CuS), твердый остаток обогащается по меди и обедняется по железу. [32]

Рудные минералы представлены халькопиритом, пирротином, магнетитом и реже гематитом. В верхних горизонтах рудных залежей преобладает халькопирит, содержание которого с глубиной постепенно уменьшается за счет увеличения пирротина и магнетита. [33]

Частыми спутниками вульфенита являются халькопирит, сфалерит, пирит, галенит, ванадинит. [34]

Структура халькопирита. [35]

Как было обнаружено, халькопирит CuFeS2, давший название целому структурному типу, сам является полупроводником. [36]

Таким образом, из халькопирита можно получить высокочистые медь, железо и серу при минимальных загрязнениях окружающей среды и энергетических затратах. [37]

В 11 53 кг халькопирита содержится железа и серы: ( 55 8 - 11 53) / 183 4 3 51 кг; ( 64 - 11 63) / 183 4 4 02 кг. [38]

Таким образом, из халькопирита можно получить высокочистые медь, железо и серу при минимальных загрязнениях окружающей среды и энергетических затратах. [39]

Они кристаллизуются по типу халькопирита. II); каждый атом S в ней тетраэдрически окружен четырьмя атомами металла, каждому из которых одновременно принадлежат два атома серы. Решетка халькопирита отличается от решетки цинковой обманки тем, что содержит два различных металла и несколько сплющена вдоль оси с, в результате чего возникает тетрагональная симметрия. Такой же структурой обладают соединения CuAlSe2, AgAlSe2, CuAlTe2 и AgAlTe2, которые были получены Ханом ( Hahn, 1951) нагреванием А12 § е3 и А12Те3 с Cu2S или Ag2S в откачанной кварцевой ампуле. Для таллия Хан получил только двойной сульфид CuTlS2, тоже обладающий структурой халькопирита. Некоторые из перечисленных выше двойных халь-когенидов имеют характер недальтонидных соединений. У AgInS2 при высокой температуре структура халькопирита переходит в структуру, похожую на структуру решетки вюртцита ( см. стр. [40]

Они кристаллизуются по типу халькопирита. II); каждый атом S в ней тетраэдрически окружен четырьмя атомами металла, каждому из которых одновременно принадлежат два атома серы. Решетка халькопирита отличается от решетки цинковой обманки тем, что содержит два различных металла и несколько сплющена вдоль оси с, в результате чего возникает тетрагональная симметрия. Такой же структурой обладают соединения CuAlSe2, AgAlSe2, CuAlTe2 и AgAlTe2, которые были получены Ханом ( Hahn, 1951) нагреванием А12 § е3 и, А12Те3 с Cu2S или Ag2S в откачанной кварцевой ампуле. Некоторые из перечисленных выше двойных халь-когенидов имеют характер недальтонидных соединений. У AgInS2 при высокой температуре структура халькопирита переходит в структуру, похожую на структуру решетки вюртцита ( см. стр. [41]

Структура 5 % и D. [42]

Структура выводится из структуры халькопирита, в которой два места в кати-онной решетке не заняты. [43]

Они кристаллизуются по типу халькопирита. II); каждый атом S в ней тетраэдрически окружен четырьмя атомами металла, каждому из которых одновременно принадлежат два атома серы. Решетка халькопирита отличается от решетки цинковой обманки тем, что содержит два различных металла и несколько сплющена вдоль оси с, в результате чего возникает тетрагональная симметрия. Такой же структурой обладают соединения CuAlSe2, AgAlSe2, CuAlTe2 и AgAlTe2, которые были получены Ханом ( Hahn, 1951) нагреванием А128е3 и А12Те3 с Cu2S или Ag2S в откачанной кварцевой ампуле. Для таллия Хан получил только двойной сульфид CuTlS2, тоже обладающий структурой халькопирита. Некоторые из перечисленных выше двойных халькогенидов имеют характер педальтонидных соединений. У AgInS2 при высокой температуре структура халькопирита переходит в структуру, похожую на структуру решетки вюртцита ( см. стр. [44]

Таким образом, из халькопирита можно получить высокочистые медь, железо и серу при минимальных загрязнениях окружающей среды и энергетических затратах. [45]

Страницы: 1 2 3 4