Cтраница 2
При анализе характера рассеяния размеров деталей, обрабатываемых на станке, математическое ожидание можно рассматривать как размер, на который был настроен станок. [16]
По своему характеру рассеяния электронов делятся на полярные, которые вызываются действием на электроны кулоновских сил, и на рассеяния, связанные с отклонением от идеальной периодичности потенциального поля решетки. [17]
Холла, определяемый характером рассеяния, остальные обозначения разъяснены в гл. Для упрощения будем считать, что скорости рекомбинации на двух противополож ных поверхностях образца одинаковы. Ясно, что для увеличения эффекта желательно использовать сильное магнитное поле, хотя следует отметить, что соотношение (6.48) при этом условий перестает строго выполняться. Для получения максимального эффекта необходимо использовать тонкий и узкий образец, но при этом поверхностная рекомбинация должна быть сведена к минимуму. [18]
![]() |
Схема измерительного преобразователя инфракрасного спектрофото-метрического анализатора. [19] |
Таким образом, на характере рассеяния излучения сказываются как изменение содержания воды в эмульсии, так и изменение распределения частиц по размерам и их числу. Влияние изменения числа частиц значительно сильнее, чем изменение размера частиц. [20]
С увеличением энергии нейтрона меняется характер не-упругого рассеяния. [21]
Термоэлектродвижущая сила зависит также от характера рассеяния электронов и от эффективной массы. [22]
Величина а существенно зависит от характера рассеяния носителей заряда на поверхности. [23]
![]() |
Экспериментальные кривые. [24] |
Температурная зависимость подвижности ц определяется характером рассеяния носителей. Величину подвижности ц, с учетом двух видов рассеяния выражают зависимостью 1 / ц l / fir, l / Hi, имеющей максимум при некоторой температуре Т, который при уменьшении концентрации примеси смещается в сторону более низких температур. [25]
Опубликованные в литературе данные о характере рассеяния обобщенных кривых в связи с влиянием температуры крайне ограничены. [26]
При наблюдении рассеяния оказалось, что характер рассеяния и его интенсивность зависят от метеорологических условий, как это и должно быть, поскольку эти условия определяют интенсивность турбулентных неоднородностей. [27]
Коэфициент относительногорас-сеяния k служит для сопоставления характера рассеяния при рассматриваемом законе распределения с характером рассеяния при некотором другом законе. [28]
А - величина, зависящая от характера рассеяния носителей тока; п - общее число носителей тока, обусловленных химическими и физическими примесями для данного полупроводника. [29]
Теорией Ми и его последователей объясняется также характер рассеяния и поглощения света проводящими частицами и частицами специфически поглощающими свет за счет собственной окраски вещества дисперсной фазы. В этом случае уменьшение светового потока при прохождении света через дисперсную систему обусловлено двумя явлениями: вышерассмотренным кажущимся поглощением за счет рассеяния света и истинным поглощением света частицами с превращением энергии световой волны в тепловую энергию. При этом для проводящих частиц на кривых зависимости поглощения света от длины волны возникают максимумы, положение которых определяется и размером частиц. [30]