Cтраница 1
Диффузионный характер движения в первую очередь меняет частоту межэлектронных соударений. [1]
Диффузионный характер движения носителей в базе и собственная статическая емкость амит-терного перехода учитывается емкостью СЭб. Эб, определяющая активную составляющую проводимости эмиттер-база. [2]
Диффузионный характер движения электронов на временах h / T не отменяет рассеяние с большой передачей импульса (2.31), а добавляет к нему рассеяние (2.32) в диффузионном канале. [3]
В силу стохастического, диффузионного характера движения каждая ячейка может посещаться по несколько раз. [4]
Впервые представления о диффузионном характере движения экситонов были использованы для интерпретации экспериментов в работе Ю. И. Карханина и В. Е. Лашкарева [26] ( для расчета зависимости интенсивности поверхностной аннигиляции экситонов в Си20 от коэффициента поглощения возбуждающего света / с), в работе А. Н. Файдыша [27] для расчета зависимости от k скорости захвата экситонов в молекулярных кристаллах [28] примесями, а также в работе [29] ( при оценке для антрацена контролируемой диффузией экситонов скорости их захвата примесью нафтацена; см. гл. В дальнейшем в [30, 31] было сформулировано более общее интегродифференциальное уравнение для концентрации экситонов, в котором, наряду с диффузией экситонов, учтено также изменение их концентрации, обусловленное реабсорцией света люминесценции. [5]
![]() |
Иллюстрация к однородной модели удержания космических лучей. [6] |
Эти наблюдения, очевидно, объясняются диффузионным характером движения частиц, примерно таким же, как в уже обсуждавшемся случае космических лучей в межпланетной среде. Следует предположить, что космические лучи эффективно рассеиваются либо на неоднородностях магнитного поля, либо на возбуждаемых ими самими волнах ( разд. [7]
Анализ выражений ( 3 - 31) показывает, что диффузионный характер движения неосновных носителей в базовом слое и емкости переходов качественно одинаково влияют на замедление процесса формирования фронтов. [8]
Частотные свойства ППТ в отличие от электронных ламп могут определяться главным образом диффузионным характером движения носителей, а не паразитными емкостями схемы и триода. [9]
Уменьшение Я с ростом частоты объясняется качественно тем обстоятельством, что при диффузионном характере движения отдельные электроны преодолевают расстояние от эмиттера к коллектору за различное время и это приводит к постепенному сглаживанию любого изменения эмиттерного тока по пути его передачи через базу. Чем толще база и чем выше частота изменений тока, тем сильнее проявляется это сглаживание. [10]
![]() |
Полупроводниковые генераторы гармонич. колебаний с внутренней положительной обратной связью на точечных транзисторах и вольтампериые характеристики последних.| Двухтактный полупровод. [11] |
Это достигается тем, что сдвиг фаз, обусловленный инерционностью транзистора ( связанной с диффузионным характером движения носителей тока в базе), компенсируется частично в колебат. В такой схеме применяют плоскостные ( сплавные) и точечные транзисторы. [12]
![]() |
Схема коммутации транзисторного ключа. [13] |
Появление выбросов, показанных на рис. 7 - 8, б, обусловлено в основном двумя факторами: наличием емкостей переходов Сэ и Ск и диффузионным характером движения неосновных носителей в базе. [14]
При выводе формул для расчета продолжительности процесса температура на реакционной поверхности или принимается постоянной, или же изменение этой температуры рассчитывается на основе представлений о диффузионном характере движения летучих продуктов от реакционной зоны к наружной поверхности куска. Мы принимаем другое положение. Выделение паров и газов происходит гораздо быстрее, чем они могут удалиться через слой за счет диффузии. [15]