Cтраница 2
Увеличение частоты усиливаемого сигнала свыше нескольких килогерц приводит к появлению фазовых сдвигов между напряжениями и токами на входе и выходе транзистора, независимо от схемы включения. Эти сдвиги обусловлены, как отмечалось при рассмотрении Z-параметров, емкостью эмиттерного и коллекторного переходов, а также диффузионным характером движения носителей тока. В результате характеристические проводимости транзистора с повышением частоты становятся комплексными. [16]
Нужно упомянуть также о тех случаях, когда газокинетическая модель рекомбинационного процесса оказывается неприемлемой. В таких условиях электрон не всегда теряет связь с тем центром, которому он принадлежал ранее, и существенным оказывается учет диффузионного характера движения электрона. [17]
Проведенное исследование позволяет более детально, чем во введении, охарактеризовать основные особенности генераторов почти гармонических колебаний иа ( полупроводниковых триодах. Особенно существенное значение имеет при этом влияние на ( величину / инерционности полупроводникового триода, обусловленной диффузионным характером движения носителей через базу. Эта инерционность и вызванное ею уменьшение с ростом частоты усиления триода по мощности ограничивают частотный диапазон генераторных схем сверху. Так же как и в высокочастотных ламповых генераторах, частота колебаний которых существенно зависит от величины межэлектродных емкостей, на частоту колебаний IB высокочастотном генераторе на полупроводниковом триоде сильно влияют В еличины емкостей р - - переходов и в первую очередь Ск. Надо оказать, однако, что зависимость емкости р-п-переходов от режима значительно более сильна, чем зависимость от режима межэлектродных емкостей электронной лампы. [18]
Наличие проводимости р - - переходов при обратных напряжениях на них определяет максимально возможную в данной схеме длительность паузы между импульсами и приводит к появлению существ, зависимости длительности паузы от темп-ры окружающей среды. В типовой схеме с транзистором часть времени формирования вершины импульса протекает в режиме насыщения транзистора. Если при этом длительность импульса сравнима с временем жизни неосновных носителей в базе транзистора, то она будет определяться не только величинами элементов схемы и видом вольтамнерных хар-к транзистора, но будет существенно зависеть от характера протекания процесса рассасывания неосновных носителей в его базе, связанного с временем жизни этих носителей. Диффузионный характер движения носителей заряда от эмиттера к коллектору приводит к дополнительному замедлению процессов формирования фронтов импульсов. [19]
Наличие проводимости р - - переходов при обратных напряжениях на них определяет максимально возможную в данной схеме длительность паузы между импульсами и приводит к появлению существ, зависимости длительности паузы от темп-ры окружающей среды. В типовой схеме с транзистором часть времени формирования вершины импульса протекает в режиме насыщения транзистора. Если при этом длительность импульса сравнима с временем жизни неосновных носителей в базе транзистора, то она будет определяться не только величинами элементов схемы и видом вольтамперных хар-к транзистора, но будет существенно зависеть от характера протекания процесса рассасывания неосновных носителей в его базе, связанного с временем жизни этих носителей. Диффузионный характер движения носителей заряда от эмиттера к коллектору приводит к дополнительному замедлению процессов формирования фронтов импульсов. [20]
Характер процесса сборки фрактального кластера отражается на структуре и свойствах образуемого кластера. Связь между ними удобно проследить на примере кластера, который формируется в рамках DLA-модели. В этом случае ассоциирующие частицы, двигаясь от периферии кластера к его центру, зацепляются за остов и тем самым прикрепляются к нему. При этом диффузионный характер движения частицы способствует продвижению вглубь по широкой области, что повышает вероятность связывания частицы с кластером на периферийной части кластера. Данный процесс удобно рассмотреть, введя так называемую глубину проникновения новой частицы внутри кластера. Рассмотрим данную задачу на языке глубины проникновения частицы. [21]
Результаты этих исследований свидетельствуют о том, что в тех случаях, когда образование кластера происходит относительно быстро ( несколько минут и менее), кластер обладает фрактальной размерностью 1 75 0 05, Этот режим соответствует ССА-модели, т.е. кластер-кластерной ассоциации частиц с диффузионным характером движения частиц в растворе. [22]