Характеристика - диод
Cтраница 2
Крутизна характеристики диода составляет 16 ма / в. [16]
Колебание характеристик диодов здесь вызовет пренебрежимо малую ( уменьшенную в 80 раз) ошибку. [17]
Крутизна характеристики диода S показывает, насколько изменится величина анодного тока диода при изменении анодного напряжения на один вольт. Крутизна характеристики является важнейшим параметром диода, в значительной степени определяющим его качества. [18]
Часто характеристику диода аппроксимируют на несколько прямых отрезков, интегралы которых могут быть определены в отдельности, а затем просуммированы. Изменения Ai и 1 / Ai нанесены в функции напряжения. Тем самым заканчивается собственно скачок. RH потребителя и разностью потенциалов между правой ветвью характеристики и нагрузочной прямой сопротивления и не зависит от других параметров диода. [19]
Анализируя характеристику диода, мы видим, что на различных участках ее, изменения напряжения Ua на одну и ту же величину приводят к разным изменениям анодного тока. [20]
В характеристиках диодов приняты следующие основные определения. [21]
Чем круче характеристика диода, тем меньше коэффициент QCT и тем лучше стабилитрон. У современных приборов он лежит в пределах 0 01 - 0 05 и ниже. [22]
 |
Характеристика диода. [23] |
Вообще же характеристика диода начинается не с нуля анодного напряжения, а с некоторого отрицательного значения его, так как при отсутствии анодного напряжения некоторые электроны, имеющие особенно большую начальную скорость, достигают анода. Кроме того, оказывает влияние контактная разность потенциалов, благодаря которой анод имеет положительный потенциал относительно катода при нулевом напряжении источника анодного напряжения. [24]
Поскольку известна характеристика диода Ганна, можно построить нагрузочную прямую, наклон которой при любых напряжениях питания составит 1 / йн. Рабочая точка на вольтамперной характеристике при пороговом напряжении перемещается из А в В при образовании домена и из В в А при его рекомбинации. [25]
Вследствие этого характеристики диодов Mt и Дг смещаются, как это изображено на рис. 5 - 43 6, так что получается результирующая характеристика I. После сложения токов обеих пар диодов получается результирующая характеристика ( рис. 5 - 43 fl), которая имеет два горба и две впадины, симметричные к началу координат, применяется для схем с тремя устойчивыми состояниями. [26]
Из нелинейности характеристик диодов вытекает необходимость проводить измерения при известных величинах напряжения: и тока. [27]
 |
Схема для снятия характеристик диода. [28] |
Для снятия характеристик диода может быть применена схема, изображенная на рис. 3.6. В этой схеме применены два источника напряжений - напряжения накала Ев и анодного напряжения fa - Величина напряжения накала устанавливается с помощью реостата накала RH и контролируется вольтметром Ун. [29]
Поэтому изучение характеристик диодов при низких температурах имеет принципиальное значение для физики полупроводников. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5