Характеристика - диод
Cтраница 3
Обратная ветвь характеристики диода в диапазоне рабочих напряжений незначительно отличается от теоретической вследствие появления неконтролируемых токов как за счет утечек по поверхности вентильного элемента, так и за счет термогенерации носителей заряда в области перехода. Дальнейшее увеличение обратного напряжения вызывает резкое нарастание тока в результате ударной ионизации атомов или локального перегрева структуры. Поэтому напряжение U в точке перегиба принято считать напряжением пробоя. [31]
Линейная аппроксимация характеристики диода может быть применена при достаточно больших значениях напряжений, приложенных к диоду. Начальный участок характеристики диода ( от 0 до 0 3 В) резко нелинеен, и Вмд это проявляется в неравномерности шкал детекторных вольтметров при измерении напряжений порядка единиц вольт. [32]
Обратившись к характеристике диода, устанавливаем, что при таком токе на внутреннем сопротивлении диода падает UBK - l l В. [33]
Как известно, характеристики диодов сильно зависят от изменения температуры р - и-перехода, что приводит к дополнительным температурным погрешностям устройства. Эти погрешности особенно значительны в схемах с нелинейной аппроксимацией, где существенно используется нелинейность характеристик диодных элементов. Существуют различные методы борьбы с температурными погрешностями. В рассматриваемом множительном устройстве в заданном объеме поддерживается постоянная температура независимо от изменения температуры окружающей среды и внутреннего тепловыделения. Термозависимые элементы - диоды помещены в активный термостат, схема управления которым включает в себя мост на сопротивлениях, стабилитроне и термозависимом резисторе и усилитель мощности, питающий подогреватель. Такой термостат при общей массе порядка 100 г и мощности подогревателя 6 вт [3] выходит на режим за 10 - 15 мин. [34]
 |
Статическая характеристика двухэлектродной лампы тлеющего разряда.| Зависимость напряжения зажигания лампы тлеющего разряда от произведения pd. [35] |
Таким образом, характеристика диода тлеющего разряда на коротком участке неоднозначна. Лампы тлеющего разряда обычно работают на линейно-возрастающем участке характеристики, где напряжение зажигания возрастает с увеличением расстояния. [36]
В реальных схемах характеристика диода типа р-п-р-п получается благодаря изменению коэффициента усиления с током нагрузки. В настоящем приложении дан расчет прямого падения напряжения такого прибора, находящегося в состоянии включено. [37]
Что называется крутизной характеристики диода. [38]
 |
К пояснению принципа преобразования частоты. [39] |
Следовательно, крутизна характеристики диода изменяется в зависимости от приложенного напряжения - она нелинейна. [40]
Что называется крутизной характеристики диода. [41]
Из-за непдеальнос ти характеристик диодов в этой схеме наблюдается погрешность, достигающая величины ( 1: 2) о от шкалы. [42]
Из совместного анализа вольт-амперных и электролюминесцентных характеристик диодов было установлено, что интенсивность желтой полосы электролюминесценции пропорциональна плотности носителей перехода, где концентрация атомов бора, играющих роль активатора люминесценции, максимальна. Согласно предложенной схеме для объяснения механизма излучательных переходов интенсивность свечения пропорциональна плотности дырок. Данная схема кроме мономолекулярных механизмов рекомбинаций позволяет объяснить температурные условия интенсивности электролюминесценции и резкое снижение эффективности при повышении удельного сопротивления материала в районе перехода. Зависимости интенсивности свечения от тока и напряжения на диоде связаны не с изменением механизма излучательной рекомбинации, а с изменением механизма переноса электронного тока. Причиной снижения эффективности при увеличении электронного тока является инжекция электронов в р - область, вследствие чего происходит относительное снижение плотности носителей у переходов. Поэтому для создания индикаторных диодов с высокой эффективностью электролюминесценции необходимо компенсированную n - область делать по возможности более тонкой и не очень высокоомной. [43]
Из совместного анализа вольт-амперных и электролюминесцентных характеристик диодов было установлено, что интенсивность желтой полосы электролюминесценции пропорциональна плотности носителей перехода, где концентрация атомов бора, играющих роль активатора люминесценции, максимальна. Согласно предложенной схеме для объяснения механизма излучательных переходов интенсивность свечения пропорциональна плотности дырок. Данная схема кроме мономолекулярных механизмов рекомбинаций позволяет объяснить температурные условия интенсивности электролюминесценции и резкое снижение эффективности при повышении удельного сопротивления материала в районе перехода. Зависимости интенсивности свечения от тока и напряжения на диоде связаны не с изменением механизма излучательной рекомбинации, а с изменением механизма переноса электронного тока. Поэтому для создания индикаторных диодов с высокой эффективностью электролюминесценции необходимо компенсированную n - область делать по возможности более тонкой и не очень высокоомной. [44]
Согласно ( 1) характеристика диода должна давать экспоненциальную или логарифмическую зависимость. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5