Характеристика - релаксационный процесс
Cтраница 2
 |
Зависимость наклона релаксационной кривой С ( t от темпа фотогенерации G. [16] |
Во-первых, при наличии подсветки изменяется функция заполнения генерационно-активных ПЭС. Во-вторых, непосредственно перед приложением поля в полупроводнике ( как в объеме, так и в ОПЗ) имеются избыточные неравновесные носители тока. Наконец, после образования слоя Шоттки наряду с генерацией основных носителей из ПЭС происходит также световая генерация электронно-дырочных пар в пределах ОПЗ. Рассмотрим вначале каждый из названных факторов в отдельности, а затем получим общее соотношение между интенсивностью возбуждающего света и характеристиками релаксационного процесса. [17]
Страницы: 1 2