Cтраница 1
Характеристика тензорезистора зависит от наличия ряда факторов, а также от степени их интенсивности. [1]
![]() |
Полупроводниковые мостовые тензорезистивные структуры.| Тензомодуль мембранного датчика давления. [2] |
К основным технико-метрологическим характеристикам тензорезисторов относятся тензочувствительность, ползучесть, механический гистерезис, температурная нестабильность, динамические характеристики. [3]
![]() |
Деформационные характеристики кремниевых тензорезисторов с проводимостью р - и п-типа. [4] |
Величина сопротивления тензорезистора меняется при изменении сил деформации, поэтому для характеристики тензорезистора вводится сопротивление Яном, называемое номинальным. Оно соответствует сопротивлению без деформации при температуре 20 С. [5]
![]() |
Измерительные цепи тензорезистивных преобразователей. [6] |
Следует отметить, что полная компенсация температурной погрешности возможна лишь при условии полной идентичности всех характеристик тензорезисторов соответствующих пар и, в первую очередь, равности их ТКС. Для обеспечения этого условия в особенно ответственных случаях приходится подбирать тензорезисторы для каждой отдельной мостовой цепи индивидуально. [7]
В настоящее время, несмотря на большой объем имеющихся исследований тензорезисторов в атмосферных условиях, не установлена достаточно точно связь между характеристиками тензорезисторов и свойствами материалов, особенностями конструкции и напряженным состоянием составляющих элементов тензорезистора. [8]
При тензометрировании в ограниченном диапазоне температур и деформаций ( например, в климатическом диапазоне температур при измерении упругих деформаций) деформационная и температурная характеристики тензорезисторов практически не изменяются, и выходной сигнал является суммой деформационной и температурной составляющих. [9]
Для выбора способа компенсации влияния давления рекомендуется подсчитывать суммарную погрешность измерений по уравнениям ( 74) - ( 78) и применять способ, дающий наименьшую ошибку при данных условиях измерений и изученных характеристиках тензорезисторов. [10]
Наклеенный тензочувствительный преобразователь невозможно снять с одной детали и наклеить на другую. Методы определения характеристик тензорезисторов регламентированы стандартом. [11]
Недостатком полупроводниковых тензорезисторов является зависимость их коэффициента тензочувствительности от температуры. В работах [5, 52] приведены схемы линеаризации характеристик тензорезисторов. [12]
Приведены результаты исследований характеристик термостойких тензорезйс-торов с тензочувствительными элементами из никель-молибденового сплава в уело-виях нейтронного облучения. Даны рекомендации по внесению поправок на влияние изменения характеристик тензорезисторов при проведении измерений деформаций на натурных объектах. [13]
Имеется большое количество сведений о характеристиках клеев и свойств тензорезисторов. Эти сведения не представлены в той форме, при которой можно определять характеристики тензорезисторов на основе главных свойств клея. [14]
![]() |
Абсолютные частные погрешности измерения дефор. [15] |