Cтраница 2
В результате проведенного выше анализа видно, что при самотермокомпенси-рованных тензорезисторах ( или при малых значениях мации температурного коэффициента сопротивления) погрешность измерения всегда меньше в случае применения одиночного рабочего тензорезистора и введения поправки в процессе обработки результатов. Если же значение температурного коэффициента сопротивления существенно, то целесообразность того или иного метода зависит от соотношения характеристик тензорезисторов и величины давления. [16]
В патенте [67] приводится описание метода улучшения температурной зависимости полупроводниковых тензорезисторов путем их высокоинтенсивного облучения. Отмечается, что специально отобранные по удельному сопротивлению тензорезисторы после облучения сравнивались с аналогичными необлученными тензорезисторами. Зависимость характеристик облученных тензорезисторов от температуры значительно уменьшилась ( в пятидесятиградусном интервале температур) по сравнению с характеристиками необлученных. [17]
Выбор метода исключения влияния давления должен обеспечивать максимальную точность измерений. Однако до настоящего времени целесообразность применения того или иного метода математически не обосновывалась. Такая практика может быть и оправдывает себя при случайно удовлетворительных характеристиках тензорезисторов, составляющих пары, но с ростом давления погрешности применения тензорезисторов с неизученными характеристиками могут быть весьма значительны. Если же не учитывать влияния давления на изменение сопротивления тензорезистора, то в измерения вносятся погрешности, величина которых может быть значительна. Самопьезокомпенсированные тензорезисторы серийно не изготовляются. Все отмеченное вызывает необходимость проанализировать возможные методы исключения влияния давления и установить оптимальный способ, обеспечивающий наименьшую погрешность измерения из трех возможных способов. [18]
В книге рассмотрено современное состояние тензо-метрических методов определения деформаций и напряжений в условиях воздействия давлений внутри сосудов и аппаратов высокого и сверхвысокого давлений. Изложены теоретические вопросы работы тензорезисторов под гидростатическим давлением. Даны методы и описание аппаратуры тарировки тензорезисторов, а также приведены та-рировочные характеристики тензорезисторов разных типов в условиях высоких и сверхвысоких давлений. Рассмотрены способы исключения влияния давления на результаты измерений и определены погрешности различных методов. Описана техника и средства тензометриро-вания под давлением. Приведены примеры выполнения и результаты практических тензометрических исследований сосудов высокого и сверхвысокого давления. [19]
Уравнения ( 9) - ( 13) показывают, что статическая характеристика преобразования тензорезистора может быть определена с помощью начальных характеристик и функций влияния. Эти уравнения позволяют выбрать материалы для чувствительного элемента в зависимости от требуемых характеристик тензорезистора и рассчитать эти характеристики. Кроме того, эти уравнения дают возможность обосновать методику экспериментального определения характеристики тензорезисторов, определяют их номенклатуру и форму их представления. [20]
Неоднократными тарировками привариваемых тензорезисторов установлено, что отклонения показаний тензо-резцсторов на металлической подложке от соответствующих показаний тензорезисторов на бумажной подложке находятся в пределах точности измерений как при однократных, так и при многократных нагружениях и разгрузках. Следует подчеркнуть, что тарировка тензорезисторов на фольге с использованием тарировочной балки изгиба должна проводиться с учетом толщины металлической подложки. Защита решетки эпоксидной смолой или другими синтетическими материалами, применяемая при выполнении работ во влажных условиях или недиэлектрических средах, не влияет на тарировоч-ные характеристики тензорезистора при атмосферном давлении, что было установлено в результате опытов с покрытиями разной толщины. [21]