Характеристика - полупроводниковый триод
Cтраница 1
Характеристики полупроводникового триода на всем протяжении используемой для рассматриваемых генераторов области имеют участки, отличающиеся большой нелинейностью. [1]
 |
Рабочая область выходных характеристик полупроводникового триода. [2] |
Характеристики полупроводниковых триодов, так же как и полупроводниковых диодов, сильно зависят от температуры. С повышением температуры резко растет начальный коллекторный ток / ко вследствие значительного увеличения числа неосновных носителей заряда в коллекторе и базе. В то же время несколько увеличивается и коэффициент а из-за увеличения подвижности носителей заряда. [3]
 |
Схемы детекторных ступеней с заземленным основанием.| Схема детекторной ступени с заземленным эмиттером.| Схема смесителя с заземленным основанием. [4] |
Благодаря нелинейности характеристик полупроводниковых триодов, нетрудно осуществить детектирование сигналов с одновременным их усилением. Детекторные ступени с полупроводниковыми триодами могут быть аналогичны ламповым ступеням с анодным детектированием. [5]
 |
Определение напряжения приведения по базе. [6] |
Учитывая сходство характеристик полупроводниковых триодов с характеристиками электронных ламп, при количественной оценке энергетических соотношений в генераторах на полупроводниковых триодах в области частот, где еще не сказываются заметно инерционные свойства триодов, можно использовать рассмотренный ранее метод расчета ламповых генераторов. [7]
Нелинейные обратные ветви характеристик полупроводниковых триодов весьма точно аппроксимируются всего двумя отрезками ( прямых. Благодаря этому формулы, получающиеся в результате решения линеаризованных уравнений, позволяют с точностью в несколько ( процентов пред-вычислить длительность паузы в блокинг-генераторе или решить обратную задачу - по определению необходимых С и iR при заданной длительности паузы между импульсами. Детальное исследование процесса формирования переднего фронта импульса в блокинг-генераторе позволило теоретически оправдать применение при оценке длительности фронта известных аппроксимативных выражений переходных и частотных характеристик триодов. Сопоставление расчетов по формулам ( 3 - 29), полученным с использованием аппроксимативных выражений для переходных характеристик ( 1 - 159а), с расчетами по формулам ( 3 - 27), выведенным при помощи строгих выражений для этих характеристик ( 1 - 155), показывает, что и те и другие одинаково хорошо качественно описывают зависимости длительности фронта от параметров триода и элементов, входящих в схему. [8]
Другим существенным отличием характеристик полупроводникового триода от характеристик электронных ламп является наличие тока базы в области как малых, так и больших токов коллектора. В электронных лампах управление анодным током может осуществляться в области характеристик, где отсутствуют сеточные токи. В полупроводниковых триодах ток коллектора всегда сопровождается появлением тока базы. Значительный по величине ток базы в рабочей области определяет низкое входное сопротивление триода. [9]
 |
Изменение тока коллектора в процессе работы преобразователя. [10] |
Из-за большого разброса характеристик полупроводниковых триодов и трудности учета распределенных параметров схемы расчеты высоковольтных полупроводниковых преобразователей могут носить только ориентировочный характер. Поэтому требуется последующая экспериментальная проверка и корректировка схемы при различных условиях испытаний. [11]
Влияние поверхностной рекомбинации на характеристики полупроводникового триода на переменном токе может быть учтено точно так же, как это было сделано для определения характеристик на постоянном токе. [12]
Характеристики этих приборов, принципиально отличаются от характеристик полупроводниковых триодов тем, что для перехода их от состояния с высоким сопротивлением ( выключено) в состояние с низким сопротивлением ( включено) необходимы лишь кратковременные импульсы напряжения на управляющем электроде. [13]
В предыдущих главах основное внимание было уделено характеристикам полупроводниковых триодов при малых сигналах и их работе в схемах, где особенно необходима устойчивость. В настоящей главе будут рассмотрены так называемые характеристики при больших сигналах и поведение полупроводникового триода в тех участках его вольт-амперных характеристик, где его работа становится неустойчивой. Поведение полупроводникового триода при больших сигналах имеет значение для его работы в режиме переключателя и в классе С, особенно в тех случаях, когда он используется в качестве генератора, ограничителя или в схемах формирования импульсов. Для работы в режиме переключателя выгодно используется неустойчивость полупроводникового триода. [14]
В полупроводниковых усилителях постоянного тока вследствие большой зависимости характеристик полупроводниковых триодов от температуры дрейф нуля значительно выше, чем в усилителях на электронных лампах. Поэтому усилители постоянного тока на полупроводниковых триодах выполняются только по балансным схемам с общим стабилизирующим резистором в цепи эмиттера. Для снижения дрейфа обычно применяются кремниевые триоды, характеристики которых меньше зависят от температуры. При этом триоды тщательно подбираются попарно с целью получения идентичных характеристик в каждом усилительном балансном каскаде. [15]
Страницы: 1 2 3