Характеристика - полупроводниковый триод
Cтраница 2
Линия нагрузки проводится на выходных ( коллекторных) характеристиках полупроводникового триода. Так же, как и для лампового усилительного каскада, линия нагрузки описывается линейным уравнением. [16]
Значения U) Ri2, R21 и Я22 могут быть найдены графическим путем из характеристик полупроводникового триода, поэтому в дальнейшем будем полагать их известными. [17]
Поскольку подвижность является важной характеристикой вещества и, в частности, определяет частотную и импульсную характеристики полупроводникового триода, то совершенно необходимо определять этот параметр, если германий предназначен для изготовления полупроводниковых усилителей с заданными характеристиками. [18]
При использовании в режиме управляемого сопротивления существенное влияние на работу схемы регулирования напряжения оказывает нестабильность характеристик полупроводниковых триодов. [19]
Благодаря этому условия, при которых в системе возможен регенеративный процесс, выполняются в весьма широкой области характеристик полупроводникового триода. В ( процессе одного полного цикла колебаний триод, работающий в такой схеме, последовательно проходит все состояния от глубокого насыщения до полного запирания. [20]
Как было показано в § 5 6 и 5 10, электрическое поле в области базы, направленное так, чтобы ускорять неосновные носители к коллектору, существенно улучшает характеристики полупроводникового триода: повышает коэффициент передачи тока, а также граничную частоту усиления по току. [21]
Хотя характеристики усилительных триодов часто используются в радиотехнике, как это хорошо известно из практики работы с электронными лампами, в справочной литературе не всегда можно встретить пригодные для расчетов характеристики полупроводниковых триодов. Причину этого можно видеть в том, что еще выпускаемые промышленностью полупроводниковые триоды имеют большой разброс параметров. Поэтому, если построить усредненные характеристики для партии однотипных триодов, характеристики многих экземпляров будут сильно отличаться от усредненных характеристик, которые окажутся бесполезными. [22]
На дрейф транзисторного усилителя, помимо хаотической ползучести параметров, очень сильно влияет температура окружающей среды. Однако температурная зависимость характеристик полупроводникового триода подчиняется определенным законам и ее в значительной степени можно ослабить рациональным построением схемы. Поэтому дрейф транзисторного усилителя обычно не превышает дрейфа усилителя на лампах. [23]
Можно показать что усиление по напряжению и мощности зависит от величины входного и выходного сопротивлений полупроводникового усилителя; будем полагать, однако, что из уравнений (12.13) - (12.15) и эквивалентной схемы на фиг. Заметим, что при современной величине разброса характеристик полупроводниковых триодов и их стабильности более точные расчеты производить нецелесообразно. [24]
Расчет медленных процессов в преобразователях основывается на квазистатических характеристиках полупроводниковых триодов. [25]
 |
Вольт-амперные характеристики химотронного преобразователя при различных скоростях потока электролита. [26] |
Как видно из представленных на рис. 7 - 46 кривых, аналогичных характеристикам полупроводникового триода, ток через преобразователь определяется только скоростью потока электролита мимо катода и не зависит от изменения в широких пределах внешнего напряжения. [27]
Проволока из фосфористой бронзы иногда используется также для изготовления эмиттерных зондов. Формовка эмиттера, однако, не является необходимой и может даже привести к ухудшению характеристик полупроводникового триода за счет уменьшения обратного сопротивления эмиттера. Бериллиевая медь удовлетворяет этому требованию, а проволока и точечные зонды могут быть изготовлены из нее при помощи тех же инструментов и приспособлений, что и в случае фосфористой бронзы. Поэтому бериллиевая медь широко используется для эмиттерных зондов в точечных полупроводниковых триодах. [28]
Но малое содержание примесей еще не обеспечивает хорошего усиления. Скорость, с которой электроны или дырки движутся в германии, определяет время прохождения ими пути от эмиттера до коллектора, а следовательно, частотную и импульсную характеристики полупроводникового триода. [29]
Основные параметры диода: сопротивление перед пробоем разрядного промежутка, отношение этого напряжения пробоя к падению напряжения на диоде ( около 2: 1) и величина отрицательного сопротивления; б - характеристика лавинного полупроводникового триода, полученная при включении триода в схему, показанную в левой части рисунка. [30]
Страницы: 1 2 3