Коллекторная характеристика

Cтраница 2

Помимо эмиттерных и коллекторных характеристик, иногда приводятся еще и другие. Они показывают, что изменение тока коллектора вызывает изменение напряжения эмиттера. Это происходит потому, что в полупроводниковом триоде существует довольно сильная внутренняя обратная связь. [16]

По коллекторным характеристикам ( рис. 10.2, б) и выбранным ранее значениям / к и UK определяем напряжение на базе транзистора UG в рабочей точке. [17]

По коллекторным характеристикам ( рис. 10.2, б) и выбранным ранее значениям / к и UK определяем напряжение на базе транзистора UQ в рабочей точке. [18]

Семейства выходных статических характеристик транзистора в схемах с общей базой ( а и с общим Миттеран ( б при выборе входного тока в качестве параметра. [19]

Выходные или коллекторные характеристики выражают зависимость тока коллектора / к от постоянного напряжения коллектора ( относительно базы 1 / к. [20]

По семейству коллекторных характеристик и линии нагрузки видно, что увеличение тока базы свыше 1б нас - 300 мка нецелесообразно; если, конечно, нет каких-либо особых соображений, например о взаимозаменяемости триодов и о работе в широком диапазоне температур окружающей среды. [21]

Графический анализ работы усилителя мощности. [22]

На семейство коллекторных характеристик ( рис. 6.43) наносят линии, соответствующие предельным режимам. [23]

Кривые семейства коллекторных характеристик стремятся к вертикальному положению, и область отрицательного сопротивления практически исчезает. Поэтому большая часть рекомендаций для схем на лавинных транзисторах, используемых в режиме номинальных токов, для микрорежима оказывается неприменимой. [24]

Снимается семейство коллекторных характеристик этого триода в активной области при выборе за параметр семейства напряжения эмиттер-база. [25]

На семействе коллекторных характеристик триода ( рис. 3 - 16) нанесена линия нагрузки а - б, выражающая зависимость напряжения на коллекторе триода от тока коллектора при данном сопротивлении нагрузки. [26]

Примерный вид коллекторных. [27]

У плоскостного триода коллекторные характеристики ( рис. 3136) имеют лишь небольшой начальный участок, идущий круто, а затем переходят в пологие дочти горизонтальные прямые. Эти характеристики похожи на анодные характеристики пентода. [28]

Коллекторные характеристики биполярного транзистора при управлении по эмиттерной цепи.| Коллекторные характеристики биполярного транзистора при управлении по базовой цепи. [29]

Из аналитических выражений коллекторных характеристик (1.7) и (1.8) следует, что ток коллектора / в явном виде не зависит от величины обратного смещения UK, приложенного к коллекторному переходу. Изменение тока коллектора с изменением выходного напряжения является результатом зависимости коэффициента передачи тока эмиттера aN или тока базы pw от напряжения обратного смещения, приложенного к коллекторному переходу. Поэтому при расчетах наобходимо знать зависимость aw или р от выходного напряжения. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5 6