Коллекторная характеристика

Cтраница 3

Статические характеристики транзистора. типа П15, снятые в схеме с общей базой. [31]

На графике, изображающем коллекторные характеристики ( рис. 3.3, б), можно выделить три основные области, соответствующие трем различным режимам работы транзистора. [32]

Эквивалентная схема с линейно-кусочной характеристикой для транзисторов типа п-р - п. [33]

Поскольку гк велико, коллекторные характеристики обладают очень малой крутизной ( на осях г с - ЫКБ), которую исключительно трудно измерить. В схеме с общим эмиттером величина гк ( 1-а) намного меньше, чем гк, и, следовательно, соответствующие кривые обладают большой крутизной, которая может быть относительно легко и точно измерена. [34]

Вольт-амперная характеристика нелинейного сопротивления нагрузки ( а и построение проходной динамической характеристики для постоянного. [35]

Использование линии нагрузки вместо динамических коллекторных характеристик существенно упрощает расчет усилительного каскада. [36]

Распределение инжектированных дырок в базе транзистора. [37]

Выражение (3.1) описывает семейство коллекторных характеристик IKf ( UK), или, как их часто называют, статические выходные характеристики транзистора. [38]

Коллекторная характеристика транзистора. [39]

Действительно, если на коллекторной характеристике транзи -: тора ( рис. 6.25) выбрана рабочая область а-б ( 1Ъ const), то сопротивление транзистора для переменной составляющей тока нагрузки гл-стоянной составляющей Гст stg 03 - мало. [40]

Как видно из рисунка, коллекторные характеристики точечного триода ( рис. 31 За) имеют значительный криволинейный участок и идут с довольно большим наклоном. Они напоминают анодные характеристики вакуумного триода при положительном напряжении на сетке. [41]

При krKB0 наблюдается незначительный наклон коллекторных характеристик, который объясняется влиянием коллекторного напряжения на коэффициент А. [42]

Величину я гнетрудно найти из коллекторных характеристик. [43]

Следует отметить, что наклон коллекторных характеристик является величиной, обратной гк в случае характеристик для схемы с общей базой. [44]

ПТ характеризуются семействами 9мит - терных и коллекторных характеристик, зависящих от схемы включения: заземленная база, заземленный эмиттер, заземленный коллектор ( фиг. Точечные ПТ в усилительном режиме работают только по схеме с заземленной базой; при заземленном эмиттере они теряют устойчивость. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5 6