Реальная характеристика - диод
Cтраница 1
Реальная характеристика диода при [ 7а [ О хорошо описывается экспонентой, а начальный участок характеристики при Ua 0 - квадратичной параболой. При анодных напряжениях, превышающих несколько вольт, характеристика практически прямолинейна. [1]
Реальная характеристика диода криволинейна. Крутизна меняется от точки к точке, достигая наибольшего значения на прямолинейном участке характеристики. [2]
Для реальных характеристик диодов их обратный ток / о слабо зависит от напряжения во всем диапазоне обратных напряжений. [3]
Если учитывают реальные характеристики диодов и задано время переключения сигналов, то требования к величинам сопротивлений в каскадах цепи возрастают. Поэтому при увеличении числа каскадов возрастает величина потребляемого тока, необходимого для возбуждения входных шин и уменьшения амплитуды выходного сигнала за счет падения напряжения на прямом сопротивлении диодов. Это обстоятельство ведет к необходимости применения в многокаскадных диодных логических схемах специальных электронных схем для восстановления уровня и мощности передаваемых сигналов. [4]
Как было указано, реальная характеристика диода имеет квадратичный и линейный участки. [5]
На рис. 2 - 9 в реальная характеристика диода показана сплошной линией, а теоретическая - штриховой. [6]
На рис. 2 - 9, в реальная характеристика диода показана сплошной линией, а теоретическая - штриховой. [7]
 |
Линейная аппроксимация характеристик трпода. [8] |
При определенных условиях роль нижнего криволинейного участка реальной характеристики диода ( из-за малости тока) может оказаться несущественной. [9]
Кроме указанных причин, нелинейные искажения в де-текгоре могут возникать из-за нелинейности реальной характеристики диода. Но если входное напряжение превышает 3 в, искажения за счет криволинейности характеристики диода оказываются ничтожно малыми. [10]
 |
Начальная область сеточной харак-териртйки. [11] |
Причин, вызывающих сдвиг сеточной характеристики относительно начала координат, несколько, но прежде всего следует отметить те, которые уже рассматривались в § 2 - 3 при обсуждении реальных характеристик диода. Значительную роль в образовании сеточного тока при U0 0 играют наиболее быстрые электроны, эмиттируемые катодом. [12]
 |
Иллюстрация работы диода Ганна с резистивной нагрузкой в пролетном режиме. [13] |
Наиболее простой и близкой к действительной характеристике является двухпрямолинейная аппроксимация. При этом реальная характеристика диода Ганна заменяется двумя прямолинейными участками. [14]
 |
Статические состояния схемы с объединенными базами. [15] |
Страницы: 1 2