Cтраница 2
Определим влияние реальных характеристик диодов на работу логической схемы И. Запертые и проводящие диоды изобразим их схемами замещения. [16]
Поэтому на практике пользуются графоаналитическим методом решения задач. При этом используют реальные характеристики диодов, например приведенные в справочниках. Суть этого метода поясним на простом примере. [18]
![]() |
Понятие о внутреннем сопротивлении диода.. [19] |
На разных участках характеристики внутреннее сопротивление различно, и можно строго говорить лишь о среднем значении внутреннего сопротивления для того или иного уча. Однако основная часть реальной характеристики диода практически прямолинейна. [20]
Максимальная и минимальная температуры определяются физическими свойствами применяемых при изготовлении диодов материалов и особенностями конструкции диодов. Величины крайних температур устанавливаются на основе изучения реальных характеристик диодов и длительных испытаний при различных температурах и электрических нагрузках. [21]
Вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов в значительной степени отличаются от рассмотренной выше теоретической характеристики яр-перехода. Эта зависимость изображена на рис. 10.8 пунктирной кривой. На том же рисунке сплошной линией показана реальная характеристика диода. [22]
![]() |
Зависимость выходного напряжения и напряжения ошибки ( увеличенного в 50 раз от величины входного сигнала. [23] |
Треугольное напряжение с максимальным значением Ue 5 В необходимо преобразовать в синусное напряжение. Из формулы (11.31) получим значение для амплитуды выходного сигнала й 3 18 В; при этом наклон нулевых участков, как требовалось, будет точно равен единице. С помощью формулы (11.33) вычислим соответствующие значения напряжения входного сигнала, при которых изменяется наклон кривой. Учитывая реальные характеристики диодов, следует аорректировать полученные значения напряжения так, чтобы начальный момент открывания диодов наступал при входном напряжении, меньшем на 0 5 В. [24]