Реальная характеристика - транзистор
Cтраница 1
Реальные характеристики транзистора из-за влияния ряда причин, не учтенных в рассмотренной модели, несколько отличаются от идеализированных, хотя общий характер зависимостей, представленных на рис. 12 - 8, б и в, сохраняется. [1]
Реальные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ, отличаются от идеализированных настолько мало, что если вычертить их в линейном масштабе, то окажется невозможным отличить одни от других. Поэтому рассмотренный в предыдущем параграфе случай может быть полностью перенесен и на реальные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ. [2]
Реальные характеристики транзистора из-за влияния ряда причин, не учтенных в рассмотренной модели, несколько отличаются от идеализированных, хотя общий характер зависимостей, представленных на рис. 12 - 8, б и в, сохраняется. [3]
Реальные характеристики транзистора в начальной области несколько отличаются от теоретических. [4]
Отклонение реальных характеристик транзисторов, используемых в режиме ключа, от этих идеальных характеристик может быть учтено с помощью схемы замещения. [5]
В отличие от идеализированных выходных ВАХ реальные характеристики транзистора всегда имеют некоторый наклон: ток коллектора возрастает ( хотя и слабо) при увеличении выходного напряжения С / кб. Это определяется эффектом Эрли, сущность которого состоит в том, что при увеличении обратного напряжения на коллекторном / г-и-переходе он расширяется, причем расширение происходит в сторону базы, как более высокоомный слой; при этом ширина базы уменьшается. Уменьшение ширины базы приводит к тому, что большее количество неосновных носителей проходит базу не рекомбинируя в ней и, следовательно, больше носителей заряда попадает в коллектор, вызывая рост тока коллектора. [6]
Для сравнения на этих рисунках показаны соответствующие реальные характеристики транзисторов. В области малых токов коллектора они отличаются от идеализированных тем, что в соответствии с (1.6) имеют экспоненциальный характер. [7]
 |
Динамическая модель биполярного транзистора Эберса - Молла ( actw. [8] |
К БК) - Модель Эберса-Молла лишь приближенно отражает реальные характеристики транзистора. [9]
В следующих параграфах покажем, в чем заключаются особенности и ограничения, связанные с реальными характеристиками транзисторов, а также с применением в усилителях мощности электронных ламп. [10]
 |
Идеализированные харак - [ IMAGE ] Принципиальная схема. [11] |
Если реальные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ, близки к идеализированным, то реальные характеристики транзистора по схеме ОЭ менее близки к ним. [12]
Реальные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ, отличаются от идеализированных настолько мало, что если вычертить их в линейном масштабе, то окажется невозможным отличить одни от других. Поэтому рассмотренный в предыдущем параграфе случай может быть полностью перенесен и на реальные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ. [13]
 |
Идеализированные харак - [ IMAGE ] Принципиальная схема. [14] |
Если реальные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ, близки к идеализированным, то реальные характеристики транзистора по схеме ОЭ менее близки к ним. [15]
Страницы: 1 2