Реальная характеристика - транзистор
Cтраница 2
 |
Структура транзистора для БИС. а - вид сверху. б - поперечное сечение. Вертикальные размеры увеличены по сравнению с горизонтальными. [16] |
В базовой области присутствуют и электроны, и дырки. Их реальное поведение достаточно сложно, и точный анализ выполняется численными методами на ЭВМ. Однако для понимания сути работы транзистора целесообразно представить физические явления с помощью аналитических методов расчета на основании использования различных аппроксимаций. При анализе работы прибора обычно используют также допущения-и приближения, которые облегчают понимание происходящих процессов. Уровень допустимых приближений зависит от того, с какой точностью требуется объяснить реальные характеристики транзистора. [17]
Очевидно, что эти величины необходимо изменять пропорциональна уменьшению длины канала. Подробнее об этом правиле будет рассказано в разделе 5.4. Таким образом, МОП-транзистор с коротким каналом имеет ряд физических, особенностей, отличающих его от изложенной выше теоретической модели. В этом разделе мы рассмотрим специфические явления, происходящие в транзисторе с коротким каналом, а также сравним реальные характеристики транзистора с расчетными. [18]
Страницы: 1 2