Выходная характеристика

Cтраница 3

Выходная характеристика линейна и симметрична относительно нулевого уровня. [31]

Выходные характеристики не пересекают оси ординат и практически сходятся в начале координат, так как при напряжении на коллекторе, равном нулю, ток коллектора практически равен нулю. В начальной части характеристики имеют большую крутизну. Это объясняется тем, что при напряжениях на коллекторе Vкэ, меньших по абсолютному значению напряжения на базе UБЭ, коллекторный переход включен в прямом направлении. Поэтому достаточно незначительно изменить напряжение Uкэ, чтобы ток 1К сильно изменился. [32]

Выходная характеристика отображает зависимость тока коллектора 1К от напряжения UK э при постоянном значении тока базы. На начальном участке выходной характеристики 1 резко всзла-стает, т.к. при и 0 носители не проходят с эмиттера на коллектор, а при подаче напряжения U происходит перераспределение потока: 1К растет, I - падает. Поскольку 1 имеет малый удельный вес в общем потоке, то нарастание 1Н происходит не очень значительно. С увеличением тока базы ( при переходе от одной ветви выходной характеристики к другой) концентрация неосновных носителей заряда базы возрастает за счет их чжекции из эмиттера. [33]

Выходная характеристика т Р тиристора в этом режиме ( об-п - Иаза ласть 4 на рис. 6.6) является по существу, характеристикой двух р-да Зй последовательно соединенных электронно-дырочных ( эмиттер - П-3 три - ных) переходов, включенных в обратном направлении; ток тиристора невелик, он определяется процессами экстракции и термогенерации неосновных носителей заряда в этих переходах. [34]

Выходные характеристики / с / ( си) при t / зи - const транзисторов с встроенным каналом ( рис. 7.12, с) и индуцированным каналом ( рис. 7.12, б) по форме напоминают характеристики транзистора с p - n - затвором. Си тек стока / с быстро возрастает, затем при UCii U3H - Umj происходит ст-сечка канала и транзистор переходит в режим насыщения. [35]

Схематическое и условное изображение.| XapaiiTCpucTHKH плоскостного транзистора. d - сходные. б - выходные. [36]

Выходная характеристика, снятая при / д 0, почти не отличается от обратной ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода. [37]

Выходные характеристики для схемы с общим эмиттером ( рис. 5.10, а) имеют еще более сильную зависимость от напряжения на коллекторе. Это связано прежде всего с тем, что постоянным значениям тока базы ( параметра в данном семействе характеристик) соответствуют разные значения тока эмиттера ( рис. 5 10, б), причем тем большие, чем больше напряжение на коллекторе. Умножение в коллекторном переходе сказывается здесь также значительно сильнее, так как образовавшиеся при умножении носители, являющиеся основными для области базы ( электроны в триоде р-п - р), проникая в нее, понижают потенциальный барьер эмиттера и вызывают увеличение его тока при постоянном значении тока базы. [38]

Характеристики передачи тока. [39]

Выходные характеристики в схеме с общим эмиттером в случае равных интервалов в величине изменения параметра ( тока базы) располагаются неравномерно. При малых токах базы и соответственно малых токах эмиттера и коллектора кривые располагаются часто. При больших токах эмиттера кривые располагаются реже, а затем снова располагаются чаще. [40]

Выходная характеристика представляет собой зависимость расхода в выходном канале от давления в этом же канале. [41]

Передача энергии ламинарными струями. [42]

Выходные характеристики, снятые для различных значений у отношений диаметров приведены на рис. 73, а. Обработка результатов экспериментов показала, что с увеличением расхода ка выходе QB / Qn поправка уменьшается. Это объясняется уменьшением расхода обратного потока при увеличении расхода нагрузки. [43]

Характеристики элемента, использующего притяжение струи к стенке. а - характеристика переключения. б - входная характеристика. [44]

Выходные характеристики имеют вид, обычный для струйных элементов: с увеличением давления расход уменьшается ( см. гл. Выше отмечалось, что давление высокого уровня в некоторой степени зависит от давления управления. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5