Выходная характеристика

Cтраница 4

Выходные характеристики имеют заметный наклон. [46]

Выходные характеристики представляют собой зависимость тока 1К в цепи коллектора от напряжения бк между базой и коллектором при заданном значении тока / а эмиттера, являющегося параметром. Значения ia написаны около каждой кривой. Из тех же характеристик видна почти линейная зависимость тока цепи коллектора от тока цепи эмиттера. [47]

Обедненные слои в транзисторе и потенциальная диаграмма. [48]

Выходные характеристики, соответствующие отрицательным значениям напряжения коллектор-база, в правом верхнем квадранте идут почти горизонтально, но все же с небольшим увеличением. Чтобы объяснить это увеличение, рассмотрим потенциальную диаграмму транзистора, приведенную на рис. 5.11, где также показаны обедненные слои транзистора. Отметим, что так как эмиттер и коллектор сильнее легированы примесью, чем база, то эти слои сосредоточены главным образом в базе. [49]

Выходные характеристики транзистора при включении efo по схеме ОЭ. [50]

Выходные характеристики показывают, что при увеличении С / к. Действительно, чтобы увеличить iK, надо увеличить ток эмиттера. [51]

Выходные характеристики для различных i3 представляют собой практически прямые линии, идущие с очень небольшим наклоном, что означает очень малое влияние напряжения ик. Действительно, для увеличения тока г к надо увеличивать ток эмиттера, чтобы из эмиттера в базу инжектировалось больше носителей. [52]

Выходные характеристики для схемы ОБ, снятые при постоянных значениях входного напряжения ыэ. [53]

Выходная характеристика в этом случае может быть представлена кривой А по рис. 2 - 6, в. [54]

Выходные характеристики в схеме с общим эмиттером ( ОЭ) в диапазоне малых напряжений t / кэ для транзисторов без скрытого слоя ( /) и со скрытым слоем ( 2) приведены на рис. 3.2. Видно, что скрытый слой влияет на форму выходной характеристики только в режиме насыщения ( РН), где дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, смещенного в прямом направлении, невелико. Напряжение насыщения при заданном коллекторном токе насыщения / кнас изменяется пропорционально объемному сопротивлению коллекторной области. [55]

Выходные характеристики тахогенератора постоянного тока ( а и влияние падения напряжения под щетками ( б. [56]

Практически выходная характеристика отклоняется от линейного закона в результате размагничивающего действия реакции якоря, наличия нелинейного сопротивления в переходном контакте между коллектором и щетками и изменения тока возбуждения из-за увеличения сопротивления обмотки возбуждения при ее нагреве. [57]

Схема усилительного каскада с общей базой.| Схемы включения полупроводникового триода. [58]

Выходная характеристика триода / к / ( ( / кб) снимается при подаче на р-я-переход коллектор - база обратного напряжения и не может быть аналогичной прямой ветви вольтамперной характеристики полупроводникового диода. [59]

Зависимость амплитуды входного импульса. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5