Cтраница 1
![]() |
Устройство фоторезистора ( а, световая ( б и вольт-амперные ( в характеристики фоторезистора. [1] |
Световые характеристики фоторезисторов нелинейны. [2]
![]() |
Вольт-амперные ( а и световые ( б характеристики фоторезисторов. [3] |
Световые характеристики фоторезисторов обычно нелинейны. [4]
На рис. 4.12 приведены световые характеристики фоторезисторов, из которых видно, что нелинейность световой характеристики фоторезисторов значительно больше, чем фотоэлементов с внешним фотоэффектом. [5]
Какие физические факторы влияют на световую характеристику фоторезистора при больших световых потоках. [6]
Второй причиной, приводящей к сублинейности световой характеристики фоторезистора, является уменьшение подвижности носителей заряда при увеличении освещенности из-за увеличения концентрации ионизированных атомов в полупроводнике и, следовательно, из-за увеличения рассеяния носителей заряда ионизированными атомами. [7]
![]() |
Световая характеристика фоторезистора. [8] |
Второй причиной, приводящей к сублинейности световой характеристики фоторезистора, является уменьшение подвижности носителей заряда при увеличении освещенности из-за увеличения концентрации ионизированных атомов з полупроводнике и, следовательно, из-за увеличения рассеяния носителей заряда ионизированными атомами. [9]
Пропорциональности не будет и при использовании нелинейных участков световой характеристики фоторезисторов. Из-за отсутствия пропорциональности между изменениями фототока и потока излучения форма пульсации фототока не повторяет форму пульсации потока излучения. Этот вид искажений называется нелинейными искажениями. В результате нелинейных искажений пульсация потока излучения, появление которой не вызывает изменения постоянной составляющей этого потока, может вызвать изменение постоянной составляющей фототока. [10]
На рис. 4.12 приведены световые характеристики фоторезисторов, из которых видно, что нелинейность световой характеристики фоторезисторов значительно больше, чем фотоэлементов с внешним фотоэффектом. [11]
Вольт-амперные характеристики фоторезисторов ( рис. 4.33, а) линейны. Световая характеристика фоторезисторов ( рис. 4.33, б) - сохраняет линейность только при незначительных световых потоках. При больших световых потоках характеристика отклоняется к оси абсцисс. [12]
Вольт-амперные характеристики фоторезисторов линейны в пределах допустимых мощностей рассеяния. Световая характеристика фоторезистора линейна только при малых уровнях светового потока, практически до освещенностей 200 - 300 лк. [13]
Наибольшей чувствительностью обладают сульфидно-кадмиевые фотосопротивления ФСК-1 и селенисто-кадмиевые - ФСД-1. Однако чувствительность дает лишь примерное представление о ходе световой характеристики фоторезистора, отражающей зависимость фототока ( при неизменном напряжении питания) от величины освещенности. Причиной этому является нелинейность данной характеристики. [14]
Чувствительность называют интегральной, потому что измеряют ее при освещении фоторезистора светом сложного спектрального состава. Удельную интегральную чувствительность принято измерять при освещенности 200 лк источником света с цветовой температурой 2840 К. При других же освещенностях значения удельной интегральной чувствительности будут другими, так как световые характеристики фоторезисторов нелинейны. Определенная величина цветовой температуры источника света необходима для постоянства спектрального состава света, при котором измеряются параметры фоторезисторов. [15]