Cтраница 2
На рис. 46, а показана конструктивная схема фоторезистора. На стеклянной пластинке / нанесены две группы штрихов, связанных с электродами. Электроды 2 присоединяются к источнику постоянного тока U. Затем пластинка покрывается светочувствительным слоем 3 из полупроводника. В зависимости от освещенности светочувствительного слоя меняется сопротивление фоторезистора. Световые характеристики фоторезисторов / ф / ( Ф) при U const практически нелинейны. Использование полупроводников в фоторезисторе приводит к непостоянству чувствительности S последнего при изменении температуры. Тренировки в течение 300 - 500 ч повышают стабильность. Срок службы фоторезисторов весьма велик. Для повышения чувствительности фоторезисторов применяют охлаждение с помощью сжиженных газов, однако при этом в несколько раз увеличивается инерционность. [16]