Эмиттерная характеристика

Cтраница 1

Схемы для снятия статических характеристик транзистора. [1]

Эмиттерная характеристика при КБ0 подобна обычной характеристике полупроводникового диода. КБ 0 означает короткое замыкание коллектора с базой. [2]

Структура точечного триода. [3]

Эмиттерные характеристики показывают зависимость тока эмиттера / a от напряжения эмиттера U3 при том или ином постоянном значении тока коллектора. [4]

Эмиттерная характеристика представляет собой круто поднимающуюся кривую; крутизна ее в рабочем участке обычно равна 50 - 100 ма / в. Коллекторные характеристики в рабочих участках, наоборот, представляют собой пологие кривые, проходящие почти параллельно горизонтальной оси. [5]

Схемы для снятия статических характеристик транзистора. а - с общей базой. б - с общим эмиттером. [6]

Эмиттерная характеристика при КБ0 подобна обычной характеристике полупроводникового диода. Условие 1 / КБ0 означает короткое замыкание коллектора с базой. [7]

Примерный вид коллекторных. [8]

Иногда эмиттерные характеристики изображают, поменяв ме стами величины на осях координат, но от этого сущность их, конечно, не меняется. Следует обратить внимание на то, что эмиттерные характеристики соответствуют напряжениям Ua порядка десятых долей вольта. Токи / э и / к порядка единиц миллиампер соответствуют триодам небольшой мощности. [9]

Входная, эмиттерная характеристика не отличается от характеристики прямосмещенного р-я-перехода. [10]

Исходя из этого, оказывается более правильным построить эмиттерные характеристики, - в которых параметром является коллекторный ток, а не коллекторное напряжение. По этой причине ток рассматривают как независимую переменную и откладывают по оси абсцисс, тогда как напряжение рассматривают как зависимую переменную и откладывают по оси ординат. [11]

На рис. 3 - 10 6 начальные участки эмиттерных характеристик изображены в увеличенном масштабе. [12]

Схемы для снятия статических характеристик транзистора. [13]

То, что коллекторное напряжение влияет на положение эмиттерной характеристики, свидетельствует о наличии в транзисторе внутренней обратной связи. [14]

На рис. 3 - 10 6 начальные участки эмиттерных характеристик изображены в увеличенном масштабе. Характеристики, снятые при КБ0 и / 0, проходят через начало координат. КБО, которое целиком приложено к эмиттерному переходу, что вызывает появление незначительного прямого тока эмиттера и соответствующее ( незначительное) смещение данных эмиттерных характеристик влево от начала координат. При некотором отрицательном напряжении U3B 0 в эмиттерной цепи устанавливается обратный ток 1 эъо, примерно равный обратному току эмиттерного перехода / ЭБО. Он представляет собой ток неосновных носителей и поэтому практически определяется концентрацией неосновных носителей ( дырок) в базе, имеющей меньшую концентрацию примеси в сравнении с областью эмиттера. [15]

Страницы: 1 2 3