Эмиттерная характеристика

Cтраница 2

То, что коллекторное напряжение влияет на положение эмиттерной характеристики, свидетельствует о наличии в транзисторе внутренней обратной связи. [16]

С другой стороны, оно должно быть настолько большим, чтобы линия нагрузки, образованная при Ri и Vi, пересекала соответствующую статическую эмиттерную характеристику ДБД слева от пологой области кривой [ У. МИН должно быть больше Vv ( см. фиг. [17]

Характеристики транзистора. [18]

На рис. 5 - 9 показаны характеристики транзистора: коллектор ные характеристики1 1ц ( ик при 4const ( рис. 5 - 9 а) и эмиттерные характеристики ia ( ua) при ик const; здесь иэ - напряжение между эмиттером и базой. [19]

Затем от найденных значений тока эмиттера, отложенных на оси ординат ( рис. 3 - 18, а), делают сноски до пересечения с соответствующими эмиттерными характеристиками транзистора. Соединив начало координат и точки пересечений плавной линией, получают искомую нагрузочную входную характеристику. [20]

Следовательно, при неизменном напряжении на эмиттер-ном переходе, определяющем неизменную концентрацию неравновесных дырок на границе эмиттерного перехода с базой рпно, происходит увеличение градиента концентрации дырок в этом сечении, что и обусловливает увеличение тока эмиттера и веерообразное смещение эмиттерной характеристики влево. [21]

Следовательно, при неизменном напряжении на эмиттер-ном переходе, определяющем неизменную концентрацию неравновесных дырок на границе эмиттерного перехода с базой р но, происходит увеличение градиента концентрации дырок в этом сечении, что и обусловливает увеличение тока эмиттера и веерообразное смещение эмиттерной характеристики влево. [22]

Рассматривая характеристики ПТ, легко понять механизм его действия как усилителя электрических сигналов. Эмиттерная характеристика представляет собой круто поднимающуюся кривую; крутизна ее в рабочем участке обычно равна 50 - 100 ма / в. Коллекторные характеристики в рабочих участках, наоборот, представляют собой пологие кривые, проходящие почти параллельно горизонтальной оси. Посмотрим, как изменяются токи и напряжения в различных цепях ПТ при небольшом изменении напряжения база - эмиттер Ua. [23]

Сопротивление ru имеет величину не более нескольких сотен ом. Можно легко определить его из эмиттерных характеристик, если для интересующего нас участка на какой-либо характеристике ( например, АБ на рис. 31 1J разделить друг на друга соответствующие этому участку величины Д 1 / э и Д / а. [24]

Иногда эмиттерные характеристики изображают, поменяв ме стами величины на осях координат, но от этого сущность их, конечно, не меняется. Следует обратить внимание на то, что эмиттерные характеристики соответствуют напряжениям Ua порядка десятых долей вольта. Токи / э и / к порядка единиц миллиампер соответствуют триодам небольшой мощности. [25]

Характеристики базового напряжения. [26]

Кривая г - Б, есть коллекторная характеристика передачи определяющая форму волны коллекторного тока. Кривая г э - - мБ - есть эмиттерная характеристика передачи, определяющая форму волны эмиттерного тока. Эти три кривые показаны совместно на рис. 10.18, где три различные области действия их тождественны. [27]

Выходное сопротивление имеет величину порядка единиц и десятков ки-лоом у точечных триодов и до сотен килоом и даже нескольких мегом у плоскостных триодов. Оно может быть определено из коллекторных характеристик таким же методом, каким находится ru из эмиттерных характеристик, напри - МРП по тлччям 4 и / ня пис. [28]

Она может быть получена путем графических построений. По нагрузочной характеристике выходной цепи, нанесенной на семейство статических коллекторных характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ, методом интерполяции определяют токи эмиттера, соответствующие напряжениям коллектора, при которых сняты статические эмиттерные характеристики транзистора. [29]

На рис. 3 - 10 6 начальные участки эмиттерных характеристик изображены в увеличенном масштабе. КБО, которое целиком приложено к эмиттерному переходу, что вызывает появление незначительного прямого тока эмиттера и соответствующее ( незначительное) смещение данных эмиттерных характеристик влево от начала координат. При некотором отрицательном напряжении [ / ЭБ 0 в эмиттерной цепи устанавливается обратный ток / эБО, примерно равный обратному току эмиттерного перехода / ЭБО. Он представляет собой ток неосновных носителей и поэтому практически определяется концентрацией неосновных носителей ( дырок) в базе, имеющей меньшую концентрацию примеси в сравнении с областью эмиттера. [30]

Страницы: 1 2 3