Статическая характеристика - транзистор
Cтраница 2
Статические характеристики транзистора структуры п-р - п аналогичны, но полярности всех напряжений и направления токов обратные. [17]
На статические характеристики транзистора сильно влияет повышение температуры переходов, которое может быть вызвано повышением температуры окружающей среды, а также внутренним нагревом, обусловленным протеканием токов через транзистор. С повышением температуры переходов в германиевых трайзисто-рах увеличивается обратный ток коллектора. В большей степени повышение температуры сказывается при включении транзистора по схеме ОЭ, вследствие большей величины тока / K3c - Увеличение обратного тока коллектора приводит к возрастанию полного тока коллектора [ см. формулы (4.17) и ( 4.12 а) ] и к смещению всего семейства выходных характеристик в область больших токов. [18]
Рассмотрим статические характеристики транзисторов в двух наиболее распространенных схемах включения с ОБ и ОЭ. Входная характеристика р-п-р-тран - зистора в схеме с ОБ показана на рис. 3.11 а. При Ук 0 она подобна вольт-амперной характеристике р-п-перехода при прямом смещении. [19]
Какие статические характеристики транзистора используют при расчете транзисторных усилительных каскадов. [20]
 |
И. Реальные ( а и линеаризованные ( б входные характеристики транзистора в схеме ОБ и его эквивалентная схема ( в.| Реальные ( а и линеари. [21] |
Аппроксимация статических характеристик транзистора осуществляется так же, как и характеристик электронных ламп. [22]
Снятие статических характеристик транзисторов обычно производится осциллографическим методом на переменном токе. [23]
Из статических характеристик транзисторов типа П401 - П403 ( рис. 4.3) находим значение Ибэ. [24]
 |
Выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером.| Входные характеристики транзистора. а - схема испытаний. 6 - характеристика бД б. э. [25] |
Выше рассмотрены статические характеристики транзисторов, снимаемые в схеме с общим эмиттером. Аналогично снимаются характеристики в схеме с общей базой. При всех возможных схемах для предотвращения повреждения транзисторов необходимо сохранить связь между эмиттером и базой. На характеристики транзисторов существенно влияет температура окружающей среды. Влияние это оценивается путем снятия характеристик транзисторов, располагаемых в термостате. [26]
Что представляют собой статические характеристики транзистора. [27]
По семейству статических характеристик транзистора МП37 находим тон базы в рабочей точке / б2 0 7 мА и напряжение покоя участка база - эмиттер t / fos 0 3 В. [28]
Ранее были рассмотрены статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общей базой, когда общая точка входной и выходной цепей находится на базовом электроде. [29]
Приводимые в справочниках статические характеристики транзистора представляют собой графики экспериментально полученных усредненных зависимостей между токами, протекающими в цепях электродов транзистора, и напряжениями, приложенными к электродам. [30]
Страницы: 1 2 3 4