Статическая характеристика - транзистор
Cтраница 3
Так как крутизна статических характеристик транзистора не остается постоянной при колебаниях температуры переходов, то жесткая стабилизация рабочей точки не обеспечивает поддержания постоянства параметров усилительного каскада и, в частности, его коэффициента усиления. [31]
Как определяется крутизна статической характеристики транзистора. [32]
Во-вторых, вид статических характеристик транзистора зависит от схемы его включения. Очевидно, что при любой схеме включения физические процессы, происходящие в транзисторе, не изменяются, но существенно меняются входные и выходные величины, а значит, и статические характеристики транзистора. [33]
 |
Статические характеристики транзистора МП 14. [34] |
На рис. 5.1 представлены статические характеристики транзистора МП14: входная, переходная и семейство выходных характеристик. [35]
Рассматриваются два метода снятия статических характеристик транзисторов, основанные на условии обеспечения постоянной мощности, рассеиваемой на коллекторе. Указывается возможность использования полученного семейства характеристик для большего диапазона температуры окружающей среды. [36]
Определение малосигнальных параметров по статическим характеристикам транзистора осуществляется наиболее просто для системы А-параметров. Для этого необходимо прежде всего выполнить графически условия, при которых определяются параметры: провести через заданную рабочую точку линии, параллельные осям координат и соответствующие, таким образом, условию постоянства тех или иных токов и напряжений. Второму условию постоянства тока или напряжения отвечает сама характеристика. [37]
Вначале, дается детальное описание статических характеристик транзистора и низкочастотных параметров, которые могут быть получены из этих характеристик. Это следует из рассмотрения эквивалентных схем и соответствующих приближений, вводимых для упрощения этих схем. В эту главу включен также последовательный анализ транзистора как линейного четырехполюсника и развиты общие принципы дополнительной симметрии. Основная часть этой главы посвящена плоскостным транзисторам; точечноконтактные транзисторы рассматриваются в двух последних параграфах. [38]
 |
Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ ( а, и схема усилительного каскада ( б. [39] |
На рис. 4.3 показано семейство статических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, и схема усилительного каскада. [40]
Ориентировочно определяем середину рабочей области статических характеристик транзистора ОЭ при усилении видеосигнала и отмечаем положение вспомогательной ( средней) рабочей точки ( § 8.1 В), необходимой для определения параметров транзистора. [41]
 |
Статические характеристики транзистора МП-40. [42] |
На рис. 8 - 1 представлены статические характеристики транзистора МП-40: входная, переходная и семейство выходных характеристик. [43]
Достоинства транзисторных автогенераторов определяются высокой крутизной статических характеристик транзисторов и малым значением требуемого сопротивления нагрузки ( десятки - единицы ом), что позволяет повысить стабильность частоты генерируемых колебаний уменьшением связи колебательных систем с транзистором за счет малых коэффициентов обратной связи. При этом уменьшается влияние изменений параметров транзистора ( в процессе его работы) на частоту генерируемых колебаний. [44]
В точках пересечения нагрузочной прямой с крайними статическими характеристиками транзистора определим минимальные и максимальные значения тока и напряжения коллектора / к. [45]
Страницы: 1 2 3 4