Cтраница 1
Выходные статические характеристики транзистора с ОЭ представляют зависимость IKp ( UK) при / 6 const. [1]
Выходные статические характеристики транзистора с ОЭ представляют зависимость / ф ( UK) при / о const. [2]
По выходным статическим характеристикам транзистора для максимального значения тока / Макс / ок / вых т 16 13 9 30 ма определяем остаточное напряжение 6 / 0ст Ю в и, взяв запас по напряжению в 5 в, найдем необходимое напряжение между выходными электродами транзистора, обеспечивающее заданное напряжение выходного сигнала: U, 10 25 540 в. Так как мощность, выделяемая в транзисторе, составит 40 - 16 - 10 - 3 0 64 вт, радиатор для транзистора не нужен. [3]
Вид семейства выходных статических характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ, зависит от вольт-амперной характеристики коллекторного перехода. Характеристика этого семейства с параметром / э 0 также является обычной вольт-амперной характеристикой p - n - перехода, но теперь уже коллекторного. [4]
Рабочая область семейства выходных статических характеристик транзистора на рис. 2 31, б расположена в третьем квадранте, что неудобно. Поэтому в транзисторной электронике за положительное направление выходного тока транзистора принимают направление обратного тока коллекторного перехода, а ось - f / Kg совмещают с положительной осью абсцисс. [5]
![]() |
Семейство входных ( а и выходных ( б характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером. [6] |
Для снятия начальных участков выходных статических характеристик транзистора с ОБ необходимо в схеме ( см. рис. 4.5, а) изменить полярность коллекторного напряжения. [7]
![]() |
Структура ( а и эквивалентная схема ( б транзистора, иллюстрирующие действие сопротивления Гд в транзисторе. [8] |
Для снятия начальных участков выходных статических характеристик транзисторов в ОБ необходимо в схеме ( см. рис. 4.5, а) изменить полярность коллекторного напряжения. [9]
На рис. 7.20, а приведены выходные статические характеристики транзистора с общим эмиттером. [10]
![]() |
Схема исследования транзистора с общим эмиттером. [11] |
Как влияет величина тока базы на положение выходной статической характеристики транзистора. [12]
![]() |
Графическое пояснение работы транзистора в ключевом. [13] |
На рис. 12 - 31, а приведены выходные статические характеристики транзистора с общим эмиттером. В семействе этих характеристик проведена нагрузочная прямая А Б, выражающая зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при определенных значениях Ек и RK. [14]
Объясните, как строится нагрузочная прямая в семействе выходных статических характеристик транзистора. [15]