Выходная статическая характеристика - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Россия - неунывающая страна, любой прогноз для нее в итоге оказывается оптимистичным. Законы Мерфи (еще...)

Выходная статическая характеристика - транзистор

Cтраница 1


Выходные статические характеристики транзистора с ОЭ представляют зависимость IKp ( UK) при / 6 const.  [1]

Выходные статические характеристики транзистора с ОЭ представляют зависимость / ф ( UK) при / о const.  [2]

По выходным статическим характеристикам транзистора для максимального значения тока / Макс / ок / вых т 16 13 9 30 ма определяем остаточное напряжение 6 / 0ст Ю в и, взяв запас по напряжению в 5 в, найдем необходимое напряжение между выходными электродами транзистора, обеспечивающее заданное напряжение выходного сигнала: U, 10 25 540 в. Так как мощность, выделяемая в транзисторе, составит 40 - 16 - 10 - 3 0 64 вт, радиатор для транзистора не нужен.  [3]

Вид семейства выходных статических характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ, зависит от вольт-амперной характеристики коллекторного перехода. Характеристика этого семейства с параметром / э 0 также является обычной вольт-амперной характеристикой p - n - перехода, но теперь уже коллекторного.  [4]

Рабочая область семейства выходных статических характеристик транзистора на рис. 2 31, б расположена в третьем квадранте, что неудобно. Поэтому в транзисторной электронике за положительное направление выходного тока транзистора принимают направление обратного тока коллекторного перехода, а ось - f / Kg совмещают с положительной осью абсцисс.  [5]

6 Семейство входных ( а и выходных ( б характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером. [6]

Для снятия начальных участков выходных статических характеристик транзистора с ОБ необходимо в схеме ( см. рис. 4.5, а) изменить полярность коллекторного напряжения.  [7]

8 Структура ( а и эквивалентная схема ( б транзистора, иллюстрирующие действие сопротивления Гд в транзисторе. [8]

Для снятия начальных участков выходных статических характеристик транзисторов в ОБ необходимо в схеме ( см. рис. 4.5, а) изменить полярность коллекторного напряжения.  [9]

На рис. 7.20, а приведены выходные статические характеристики транзистора с общим эмиттером.  [10]

11 Схема исследования транзистора с общим эмиттером. [11]

Как влияет величина тока базы на положение выходной статической характеристики транзистора.  [12]

13 Графическое пояснение работы транзистора в ключевом. [13]

На рис. 12 - 31, а приведены выходные статические характеристики транзистора с общим эмиттером. В семействе этих характеристик проведена нагрузочная прямая А Б, выражающая зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при определенных значениях Ек и RK.  [14]

Объясните, как строится нагрузочная прямая в семействе выходных статических характеристик транзистора.  [15]



Страницы:      1    2