Выходная статическая характеристика - транзистор
Cтраница 2
Выходные статические характеристики при / 6const в рабочей области располагаются над нулевой на соответствующем уровне и по сравнению с выходными статическими характеристиками транзистора с ОБ имеют примерно в р раз больше наклон и более резко выраженное сгущение при значительных токах базы. [16]
Выходные статические характеристики при / о const в рабочей области располагаются над нулевой на соответствующем уровне и по сравнению с выходными статическими характеристиками транзистора с ОБ имеют примерно в р раз больший наклон и более резко выраженное сближение при значительных токах базы. [17]
Соответственно выходные статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером при малых напряжениях на коллекторе и при Iъф 0 заходят в четвертый квадрант. [19]
При / э 0 и [ / Кб 0 на величину выходного тока транзистора основное влияние оказывает ток, обусловленный инжекцией дырок через эмиттерный переход ( / э), и его изменение приводит к пропорциональному изменению тока коллектора. Поэтому семейство выходных статических характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ, при / э 0 и небольших отрицательных напряжениях на коллекторе представляет собой ряд прямых, идущих почти параллельно оси абсцисс. В области больших отрицательных значений ик выходные статические характеристики начинают заметно изгибаться, так как напряжение на коллекторном переходе приближается к напряжению пробоя. [20]
Порядок расчета усилителя, стабилизированного по методу оптимальной проводимости источника сигнала, следующий. Первоначально по семейству выходных статических характеристик транзистора выбирают исходный режим работы, при котором обеспечивалась бы работа с требуемой амплитудой сигнала и малыми искажениями. Затем, полагая коэффициент усиления каскада при оптимальной проводимости источника сигнала равным Sf2g, определяют число каскадов в усилителе и рассчитывают величину 6 / ( т для одного каскада. Так как нестабильность коэффициента усиления обусловлена изменением температуры окружающей среды, напряжения источника питания, температурной нестабильностью электролитических конденсаторов и изменением параметров транзисторов при их смене и старении, то общая нестабильность коэффициента усиления каскада должна быть распределена между этими дестабилизирующими факторами. [21]
 |
Структура ( а и эквивалентная схема ( б транзистора, иллюстрирующие действие сопротивления г б в транзисторе. [22] |
Поэтому ( на основании формулы (2.11), где / о / Кр) можно утверждать, что любая выходная статическая характеристика транзистора с ОБ представляет собой обычную вольт-амперную характеристику полупроводникового диода, смещенную по оси обратного тока на величину / кр. [23]
Исследуемый транзистор, источники питания, измерительные приборы и потенциометры соединяют по схеме рис. 9.1. После проверки схемы приступают к ее опробованию. Для этого с помощью потенциометра R2 устанавливают напряжение коллектор - эмиттер U порядка 50 - 60 % от наибольшего значения этого напряжения для исследуемого транзистора. Поддерживая это напряжение неизменным, изменяют напряжение И § а ( с помощью потенциометра R) и следят за показаниями прибора, измеряющего ток базы / в - Величина тока базы должна изменяться в пределах, достаточных для снятия входной характеристики транзистора. Затем проверяют возможность снятия выходной характеристики. Для этого устанавливают движок потенциометра RI в среднее положение, замечают значение тока базы / б и поддерживают его неизменным. Этот ток должен плавно изменяться в достаточно широких пределах, позволяющих снять выходную статическую характеристику транзистора. [24]
Страницы: 1 2