Входная статическая характеристика

Cтраница 1

Семейство входных ( а и выходных ( б. [1]

Входная статическая характеристика при t / K 0 ( нулевая) подобна обычной характеристике полупроводникового диода, включенного в прямом направлении. [2]

Входная статическая характеристика при Uк 0 ( нулевая) подобна обычной характеристике полупроводникового диода, включенного в прямом направлении. [3]

Входные статические характеристики в схеме с ОЭ приведены на рис. 3.16, а. Если цепь коллектора разомкнута ( ток / к 0), кривая проходит через начало координат. Объясняется это сужением ширины базы, что сопровождается ослаблением рекомбинации носителей в единицу времени. Поскольку графики располагаются близко один от другого, в справочниках обычно приводятся одна-две кривые. [4]

Смещение входных статических характеристик вниз в выбранной системе координат при увеличении абсолютной величины напряжения на коллекторе объясняется тем, что напряжение на коллекторе влияет на концентрацию носителей около него и изменяет толщину базы из-за изменения ширины области объемного заряда коллекторного перехода. [5]

Входные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общей базой ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при постоянном напряжении на эмиттерном переходе ( б и при постоянном токе эмиттера ( в. 1 ( / Ь I 1 / КБ I. [6]

Смещение входных статических характеристик вниз в выбранной системе координат при увеличении абсолютной величины напряжения на коллекторе объясняется тем, что напряжение на коллекторе влияет на концентрацию носителей около него и изменяет толщину базы из-за изменения толщины коллекторного перехода. [7]

Смещение входных статических характеристик вверх в выбранной системе координат при увеличении абсолютного значения напряжения на коллекторе связано с уменьшением общего количества неосновных носителей в базе ( заштрихованные площади на рис. 4.13, б) и, следовательно, с уменьшением количества рекомби-нирующих носителей. Поэтому уменьшается составляющая тока базы, обусловленная рекомбинацией, при постоянном напряжении между базой и эмиттером. [8]

Схемы включения транзисторов с общей базой ( а, с общим эмиттером ( б, с общим коллектором ( в и входная ( г, выходная ( д вольт-амперные характеристики биполярного транзистора. [9]

В, входные статические характеристики практически сливаются в одну, которая приводится в справочниках в качестве усредненной входной характеристики. [10]

Взаимосвязь между величинами 1В, uc, ic, ив и et.| Построение входной динамической характеристики для /. ь400 Ом ( пунктир и нагрузочной прямой для. /. / 500 Ом ( сплошная линия. [11]

Располагая семейством входных статических характеристик ( рис. 4.48) и используя данные табл. 4.6, наносим точки, отвечающие известным значениям в и ис, соединив которые получаем искомую входную динамическую характеристику. [12]

Таким образом, входная статическая характеристика будет иметь участок насыщения тока затвора, если полевой транзистор сделан из материала с малой шириной запрещенной зоны. В этом случае на обратные токи через p - n - переход ( затвор) практически не будут влиять процессы генерации носителей в области объемного заряда. [13]

Кроме того, входные статические характеристики обладают существенной нелинейностью, что приводит к значительным искажениям сигналов во входной цепи транзистора. [14]

Так как у плоскостных транзисторов входные статические характеристики идут узким расходящимся пучком, то динамическую входную характеристику можно считать приближенно совпадающей со статической. [15]

Страницы: 1 2 3 4