Входная статическая характеристика
Cтраница 3
Вследствие того, что входные статические характеристики транзистора располагаются густо, иногда для упрощения анализа работы и расчета транзисторного каскада входную динамическую характеристику не строят, а просто одну из входных статических характеристик, соотзетствующую некоторому напряжению на коллекторе, отличному от нуля, принимают за динамическую. [31]
 |
Зависимость тока коллектора от времени и напряжения базы. [32] |
Входные динамические характеристики переменного тока позволяют определить ток, напряжение и мощность входного сигнала, Входную динамическую характеристику строят переносом точек пересечения нагрузочной прямой со статическими выходными характеристиками усилительного элемента на семейство входных статических характеристик. [33]
Чтобы построить входную динамическую линию нагрузки, нужно для каждого напряжения на коллекторе, для которого имеется статическая входная характеристика, определить по выходной динамической характеристике соответствующий этому напряжению ток базы, а затем на входных статических характеристиках отметить точки, которые соответствуют найденным значениям токов базы. [34]
Переносим точки А, Р и В, соответствующие пересечению нагрузочной прямой со статическими выходными характеристиками при / б4макс Юл а, / 64Р Ьма и / б4мин 0 2 ма ( рис. 57), на входную статическую характеристику, снятую при UK. [35]
U ], которые предопределены положением линии нагрузки MN на семействе выходных статических характеристик ( ср. Поскольку входные статические характеристики биполярных транзисторов при разных значениях напряжения на коллекторе UK проходят очень близко друг к другу, часто в качестве динамической входной характеристики принимают статическую для произвольного значения U, в пределах активной области. [36]
Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимости / Б / ( 1А - э) ПРИ и кэ const и показано на рис. 17.8, а. Ток базы представляет собой алгебраическую сумму токов, один из которых вызван рекомбинацией носителей заряда эмиттера и базы ( он пропорционален току эмиттера), другой является обратным током коллекторного перехода. Чем больше напряжение [ / БЭ, тем больше ток базы, так как при увеличении прямого напряжения на эмиттерном переходе снижается потенциальный барьер. Преодолеть его в этом случае может большее число основных носителей заряда эмиттера ( дырок), и большее число их сможет рекомбиниро-вать с электронами базы. Рекомбинационная составляющая тока базы, являясь частью тока эмиттера ( хотя и незначительной), определяет характер входной характеристики, который близок к характеру входной характеристики для схемы с ОБ. [37]
Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимости I. [38]
Чтобы построить входную динамическую характеристику, нужно для каждого напряжения на коллекторе ( для которого имеется статическая входная характеристика) определить по выходной динамической характеристике соответствующий ток базы. Затем на Входных статических характеристиках следует отметить тонки, которые соответствуют найденным значениям токов базы. [39]
Влияние температуры отражается на всех параметрах и особенно сильно на собственном ( неуправляемом) обратном токе коллектора / КБО, который удваивается при повышении температуры на каждые 10 С. С ростом температуры входные статические характеристики сдвигаются в область больших токов, поскольку снижается потенциальный барьер эмиттерного перехода и усиливается диффузия носителей зарядов. Этот процесс приводит к увеличению тока коллектора на р / кво. В результате рабочая точка П перемещается по линии нагрузки выходных характеристик влево и вверх, симметрия усиленного сигнала нарушается, что приводит к его искажению. Нагрев происходит от протекания тока по деталям транзистора, при переходе теплоты от расположенных поблизости блоков и окружающей среды. [40]
Характеристики обратной связи могут быть легко получены из семейства входных статических характеристик путем графического перестроения. [41]
Температурная зависимость статических характеристик в схеме ОЭ ( рис. 2 - 61) выражена сильнее, чем в схеме ОБ, поскольку для первой схемы включения возрастает влияние температурной зависимости коэффициента усиления по току. Так как ток базы соизмерим с обратным током коллекторного перехода, входные статические характеристики ( рис. 2 - 61, а) при повышении температуры не только смещаются влево, но и опускаются вниз, глубже заходя в область обратных направлений тока базы. [43]
Температурная зависимость статических характеристик в схеме с общим эмиттером ( рис. 9 - 81) выражена сильнее, чем в схеме с общей базой, поскольку здесь возрастает влияние температурной зависимости коэффициента усиления по току. Ввиду того что ток базы соизмерим с обратным током коллекторного перехода, входные статические характеристики ( рис. 9 - 81, а) при повышении температуры не только смещаются влево, но и опускаются вниз, глубже заходя в область обратных направлений тока базы. Выходные характеристики ( рис. 9 - 81 6) смещаются вверх на величину, примерно в р раз превышающую температурное приращение обратного тока. Поэтому допустимые рабочие напряжения коллектора в схеме с общим эмиттером могут заметно снижаться при повышении температуры. [45]
Страницы: 1 2 3 4