Анодная характеристика - пентод
Cтраница 3
Увеличение крутизны восходящего участка анодной характеристики пентода может быть достигнуто за счет увеличения шага третьей сетки и приближения ее к аноду. Однако увеличение шага-и приближение третьей сетки к аноду производятся в пределах, ограничиваемых возможностью появления динатронного эффекта. Хороший эффект дает применение лучевой системы расположения первой и второй сеток, снижающей рассеивание электронов, проходящих вторую сетку. [31]
 |
Характеристики транзистора. Q - коллекторные. б - эмиттерны-е. [32] |
Коллекторные характеристики сходны с анодными характеристиками пентода. [33]
Вольт-амперные характеристики вакуумного фотоэлемента напоминают анодные характеристики пентода. У поверхности катода образуется область отрицательного объемного заряда. При дальнейшем увеличении напряжения объемный заряд постепенно рассасывается и, наконец, все электроны, вышедшие с поверхности катода, устремляются на анод. Увеличение анодного тока в этом режиме может быть получено только за счет увеличения фотоэмиссии. [34]
 |
Условное обозначение и семейство анодных характеристик. [35] |
На рис. 58 представлено семейство анодных характеристик пентода. Анодные характеристики имеют два характерных участка: круто поднимающийся участок быстрого нарастания анодного тока при малых анодных напряжениях и пологий участок незначительного изменения анодного тока при больших напряжениях на аноде. При t / a 0 в пентоде существуют два пространственных заряда: первый в пространстве экранирующая сетка - защитная сетка и второй - вокруг катода. Первое электронное облако находится в непосредственной близости к аноду. Поэтому достаточно незначительного положительного потенциала на аноде, чтобы электроны из облака попали на анод. По мере увеличения анодного напряжения происходит интенсивное рассасывание первого электронного облака, что соответствует быстрому возрастанию анодного тока. [36]
В графической интерпретации это означает, что анодные характеристики пентода идут почти параллельно оси абсцисс, тогда как у триода они очень круто наклонены. [38]
 |
Включение трехэлектрод. [39] |
На рис. 11 - 38 дано семейство анодных характеристик пентода 6П9 и построены три динамические характеристики, соответствующие напряжению анодного источника питания U 300 в и нагрузочным сопротивлениям: 2; 5 и 15 ком. [40]
 |
Простейшая схема усилителя на пентоде. [41] |
Мы уже указывали, что рабочими участками анодных характеристик пентода являются пологие почти прямолинейные участки; как известно, чем больше внутреннее сопротивление R, тем более полога характеристика. Нормальное напряжение источника анодного питания выбирается так, чтобы точка, А лежала под областью прямолинейных участков характеристик. [42]
 |
Семейство анодно-сеточных и сеточных ( по второй сетке характеристик лучевого тетрода 6П6С, снятых при различных напряжениях второй сетки. [43] |
Следует отметить, что по этим же причинам анодная характеристика пентода на участке, соответствующем режиму прямого перехвата, идет более полого, чем характеристика тетрода. [44]
Стоковые характеристики полевого транзистора по своему виду напоминают анодные характеристики пентода. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5