Cтраница 4
![]() |
Анодные характеристики пентода. [46] |
Анодно-сеточные характеристики пентодов подобны триодным, тогда как анодные характеристики пентодов ( рис. 4 - 9) по форме существенно отличаются от анодных характеристик триодов. Это связано с тем обстоятельством, что катодный ток в пентоде почти не зависит от величины анодного напряжения из-за сильной экранировки, а определяется суммарной величиной сеточно-ю и экранного напряжений. При напряжениях на аноде, меньших экранного ( область / на рис. 4 - 9), экранный ток больше анодного, так как экранирующая сетка не только перехватывает электроны, но и возвращает те из них, которые уже пролетели в анодное пространство. Когда же напряжение на аноде становится больше экранного напряжения, возврат электронов на экранирующую сетку прекращается и экранный ток образуется только за счет чистого перехвата. Величина этого тока почти не зависит от анодного напряжения, а определяется конструкцией пентода. [47]
Стоковые характеристики полевого транзистора по своему виду напоминают анодные характеристики пентода. [48]
Значения всех анодных токов и анодных напряжений на семействе анодных характеристик пентода, снятом при - [ 7с2140 В ( см. рис. 5.5), умножаем соответственно на коэффициенты тип. [49]
![]() |
Определение внутреннего сопротивления по анодной характеристике. [50] |
Так как внутреннее сопротивление пентодов обычно выше, чем у тетродов, то анодные характеристики пентодов в режиме прямого перехвата более пологи, чем характеристики тетродов. [51]
![]() |
Построение линии нагрузки для усилителя мощности на пентоде. [52] |
Из рис. 3.5 видно, что на участке AM линия нагрузки проходит вблизи колена анодных характеристик пентода, в то время как для триода ( см. рис. 3.3) эта часть характеристики проходила по линейным участкам. [53]
![]() |
Выходные характеристики биполярного транзистора и области работы при включении по схеме ОБ ( а и по схеме ОЭ ( б. [54] |
Как видно, выходные характеристики в схеме ОБ ( рис. 2.1, а) напоминают анодные характеристики усилительных пентодов, с тем различием, что коллекторный ток протекает и при нулевом напряжении питания. В схеме ОЭ ( рис. 2.1 6) выходные характеристики идут из начала координат, имеют наклон к оси напряжений. [55]
![]() |
Идеализированные характеристики транзистора. [56] |
Выходные характеристики гк ф2 ( ик) при Eg const ( рис. 7, в) подобны по форме анодным характеристикам пентода. Линия резкого спада тока коллектора при малых отрицательных напряжениях базы ( в области ее больших токов подобна линии критического режима у характеристик электронных ламп. [57]
![]() |
Принципиальная схема малошумящего составного эмиттерного повторителя. [58] |
Несмотря на это, первый триод работает фактически как эмиттерный повторитель, так как коллекторные характеристики транзистора схожи с анодными характеристиками пентода и ток эмиттера фактически не зависит от напряжения на коллекторе. Поэтому при расчете входного сопротивления каскада приближенно можно считать, что первый каскад работает по схеме с заземленным коллектором. [59]
![]() |
Расположение на одном графике четырех типов. [60] |