Спектральная характеристика - фоторезистор
Cтраница 1
 |
Конструкции фоторезисторов. [1] |
Спектральные характеристики фоторезисторов определяются типом полупроводника и введенными в него примесями. [2]
Спектральная характеристика фоторезистора показывает зависимость фототока от длины волны падающего излучения ( / / ( Х)) и имеет характерный максимум, местоположение которого на оси X зависит от материала фоторезистивного слоя. [3]
Спектральные характеристики фоторезисторов: / - ФСА-1; 2 - ФСД-1 по [27]; 2 - ФСД-1 по [102]; 3 - ФСК-1, изготовленный по новой технологии [50]; 3 - ФСК-1, изготовленный по старой технология [ 5UJ: 4 - ФСК-2, 5 - ФСК-М; 6 - ФСС-М. [4]
 |
Световая и вольт-амперная характеристики фоторезистора. [5] |
Спектральная характеристика фоторезисторов зависит от их материала. Путем соответствующего подбора последнего можно построить фотоэлемент, чувствительный к любой части видимого спектра. Некоторые из фоторезисторов обладают большой чувствительностью к инфракрасной части спектра, что дает возможность использовать их для наблюдения и регистрации излучений слабо нагретых тел. [6]
Спектральные характеристики фоторезисторов / - сернисто-свинцовых, 2 - германиевых ( рис. 4.33 0) показывают, что фото-резисторы могут применяться как в видимой, так и в инфракрасной части спектра. Наибольшей чувствительностью в области инфракрасных ( тепловых) излучений из перечисленных фоторезисторов - обладают сернистосвинцовые фоторезисторы. [7]
Спектральные характеристики фоторезисторов, нормированные относительно максимального значения чувствительности ямакс на длине волны Кмакс, приведены на рис. 7.27. Эти характеристики определяются конкретной зависимостью стф ф ( Я) ( см. рис. 7.2) для каждого материала в области собственного или примесного поглощения. В видимой части оптического диапазона в качестве материалов ЧЭ фоторезисторов используются сульфид кремния CdS и селенид кадмия CdSe. Введение в эти материалы меди Си - центров чувствительности резко повышает время жизни электронов и, следовательно, коэффициент усиления по току. Но атомы меди создают в запрещенной зоне CdS и CdSe компенсирующие акцепторные уровни, и проводимость полупроводника уменьшается. На длинах волн 1 - 4 мкм применяют антимонид InSb и арсенид InAs индия. Указанные материалы фоторезисторов обладают собственной проводимостью. [8]
 |
Спектральные характеристики фоторезисторов. [9] |
На рис. 3.20 приведены спектральные характеристики фоторезисторов, нормированные относительно максимального значения чувствительности S max на длине волны тах. [10]
На рис. 2.8 и 2.9 представлены спектральные характеристики фоторезисторов, фотоэлементов и фотоумножителей. [11]
 |
Спектральные характеристики фоторезисто-ров.| Частотные характеристики различных типов фоторезисторов. [12] |
Зависимость чувствительности фоторезистора от длины волны называют спектральной характеристикой фоторезистора. Спектральные характеристики разных видов фоторезистороз ( рис. 4.76) значительно отличаются друг от друга. [13]
Зависимость фототока от длины волны падающего света является спектральной характеристикой фоторезистора. [14]
На рис. 12.3, б, в, г показан внешний вид некоторых фоторезисторов, а на рис. 12.3, д - спектральные характеристики фоторезисторов из некоторых полупроводниковых материалов. Вид кривой ( острый пик или пологая вершина) зависит и от технологии изготовления полупроводникового материала. [15]
Страницы: 1 2