Cтраница 2
Фоторезисторы представляют собой однородную полупроводниковую пластинку с контактами, которая при освещении уменьшает свое сопротивление в результате внутреннего фотоэффекта. Спектральные характеристики фоторезисторов представлены на рис. 12 - 12 и определяются свойствами используемых полупроводниковых материалов. [16]
Поэтому при выборе светофильтра для устройства типа ПП важно обеспечить ( в соответствии d выражениями (5.47) и (5.46)) совпадение спектральных характеристик физического эквивалента ( светофильтра) и окрашенных комплексов ( которые появляются на индикаторном порошке в результате хемиоптического преобразования) в первую очередь в зоне коротковолновой вариации спектральной характеристики фоторезистора. [17]
![]() |
Вольтамперные характеристики фоторезисторов. / - в темноте. 2 -при освещении. [18] |
Максимумы этих характеристик приходятся на различные длины волн ( см. табл. 6.1) в зависимости от технологии изготовления фоторезисторов. Так как ширина запрещенной зоны с увеличением температуры может как уменьшаться, так и увеличиваться, спектральная характеристика различных фоторезисторов соответственно сдвигается или в длинноволновую, или в коротковолновую области спектра. На рис. 6.5 приведены спектральные характеристики фоторезистора ФС-А при различных температурах. [19]
Пороговая чувствительность значительно возрастает с понижением температуры, поэтому фоторезисторы, предназначенные для приема слабых сигналов, работают в режиме глубокого охлаждения. Однако, поскольку при охлаждении ширина запрещенной зоны уменьшается, при этом происходит сдвиг спектральной чувствительности в сторону более длинных волн. Так, например, граница спектральной характеристики сернисто-свинцового фоторезистора при охлаждении сдвигается с 3 мкм при комнатной температуре до 4 мкм при температуре жидкого азота. [20]