Входная характеристика

Cтраница 1

Входные характеристики имеют вид, аналогичный прямой ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода. [1]

Входная характеристика позволяет рассматривать несимметричный триггер как двухполюсник с S-образной вольт-амперной характеристикой. [2]

Входная характеристика ( рис. 14.7, а) линейна при / б 0 1 ма. [3]

Входные характеристики даны для электронных ламп и транзисторов, а для остальных элементов они не имеют существенного значения вследствие малых значений токов или напряжений на входе. То же относится и к электронным лампам при отрицательном сеточном напряжении. [4]

Входная характеристика показана на рис. 58, а. При увеличении VD скорость ФФК-реакции должна увеличиваться скачком при переходе с нижней ветви характеристики v ( GJ) на верхнюю. При постепенном увеличении концентрации глюкозы в среде, где находились дрожжи, скорость гликолиза очень резко возрастала при переходе через некоторую критическую концентрацию. Зависимость вида входной характеристики от параметра jia приводит к показанной на рис. 59, б зависимости стационарной скорости ч от рг. [5]

Входные характеристики будут положе, а выходные будут располагаться ниже вследствие уменьшения токов базы и эмиттера. [6]

Входная характеристика отображает зависимость тока базы от напряжения, приложенного к переходу база - эмиттеп при постоянном напряжении на коллекторе. Увеличение напряжения У ( по модулю) смещает входную характеристику вправо. Это происходит за счет перераспределения эмиттерного тока: подавляющая часть носителей, пролетающих с эмиттера через базу на коллектор, возрастет еще больше, а доля самого потока, замыкающегося на базу за счет рекомбинации или инкекции, уменьшится. [7]

Входная характеристика задается графиком с указанием тока / спр. [8]

Входные характеристики предусматривают изложение рекомендаций относительно ответственности за составление потока входных данных. [9]

Передаточная ( амплитудная характеристика ячейки ТТЛ. [10]

Входная характеристика имеет вид, показанный на рис. 8.29. При входных напряжениях, превышающих напряжение на базе насыщенного транзистора Tz, равное сумме l / вэ. Небольшая величина 0 / обеспечивает при этом малость втекающих в эмиттер входных токов / вх 0 015 - г - 0 025 / к и не превышает десятков микроампер. При снижении входного напряжения ( f / BXl4 - s - - ч - 1 5 В) многоэмиттерный транзистор насыщается, а транзистор Т2 запирается. [11]

Входные характеристики. [12]

Входная характеристика представляет собой зависимость расхода Q на входе от давления р на том же входе. Ко второму типу относятся характеристики элементов, использующих притяжение струи к стенке. Здесь при переключении элемента происходит скачкообразное изменение давления в камере, приводящее к скачкообразному изменению расхода при неизменном давлении на входе. [13]

Характеристики элемента, использующего притяжение струи к стенке. а - характеристика переключения. б - входная характеристика. [14]

Входная характеристика имеет наибольшее значение для определения основных параметров и оценки режима работы. [15]

Страницы: 1 2 3 4