Входная характеристика

Cтраница 2

Входная характеристика, представляющая собой зависимость между расходом и давлением на входе элемента, определяет его входное сопротивление. На рис. 129 показаны характеристики двух граничных входных сопротивлений, соответствующих минимальному п mm и максимальному п д пах допустимым входным нагрузкам, где п - число подключаемых элементов. [16]

Входные ( а и выходные ( б характеристики плоскостного транзистора, включенного по схеме с общей базой. [17]

Входные характеристики / a / ( t / j) для схемы с общей базой показаны на рис. 6.21 а. [18]

Входные характеристики имеют вид, аналогичный прямой ветви вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Увеличение напряжения икэ смещает входные характеристики вправо. [19]

Входная ( а и выходная ( б характеристики транзистора при включении по схеме с ОЭ. [20]

Входные характеристики показывают зависимость то ка базы г б от напряжения между базой и эмиттером Мбэ при раз личных значениях напряжения между коллектором и эмиттерол икз. [21]

Передаточная характеристика неинвертирующего ЛЭ ( а и формирование уровней i и 1Л сигналов цепочкой ЛЭ ( 6. [22]

Входная характеристика - зависимость входного тока от входного напряже-позволяет определить степень нагрузки каждого ЛЭ при работе друг на друга. [23]

Входная характеристика для схемы с общим эмиттером выражает зависимость тока базы от напряжения базы при неизменном напряжении или токе коллектора; для схемы с общей базой входная характеристика выражает зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттера также при неизменном напряжении или токе коллектора. [24]

Входные характеристики определяют свойства управляющих органов реле. [25]

Входные характеристики i5 ю ( нб) при Ек const ( рис. 7, а) аналогичны характеристикам сеточного тока электронной лампы в координатах i. L, eSt и имеют две основные области - малых и больших базовых токов. [26]

Входные характеристики будут более положе, а выходные будут располагаться ниже вследствие уменьшения токов базы и эмиттера. [27]

Диаграммы распределения примесей в диффузионно-сплавном транзисторе.| Семейства входных статических характеристик транзистора в схемах с общей. базой ( а и с общим эмиттером ( б. [28]

Входные характеристики ( рис. 9 - 50) выражают зависимости тока входного электрода транзистора ( / - для схемы с обще. [29]

Входные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с обшей базой ( а и по схеме с общим эмиттером ( б. [30]

Страницы: 1 2 3 4