Вольт-амперная характеристика - туннельный диод
Cтраница 1
Вольт-амперная характеристика туннельного диода и его условное обозначение в схемах показаны на рис. 1622, а. Рассмотрим с помощью зонной теории вил вольт-амперной характеристики. [1]
Вольт-амперная характеристика туннельного диода при этом имеет падающий участок ( рис. 1.64, г) - участок отрицательного дифференциального сопротивления. Это произойдет тогда, когда энергетические диаграммы р - и ге-облас-тей сместятся так, что для свободных электронов в n - области не окажется свободных энергетических уровней в р-области. Однако при этом наблюдается ток, обусловленный диффузией электронов из п - в - область и диффузией дырок в противоположную сторону. [2]
Вольт-амперные характеристики туннельных диодов на основе различных материалов приведены на рис. 1.65. Из этих кривых видно, что чем больше ширина запрещенной зоны исходного материала, тем больше напряжение, при котором наблюдается максимальный ток. [3]
Вольт-амперная характеристика туннельного диода ( рис. 17) имеет участок АВ отрицательного дифференциального сопротивления. [4]
Вольт-амперные характеристики туннельного диода приведены на ряс. [5]
Вольт-амперная характеристика туннельного диода ( рис. 18, б) показывает изменения протекающего тока через Р - Л / - переход в зависимости от величины и знака приложенного напряжения. [6]
 |
Эквивалентная схема автогенератора для определения характера выходного сопротивления электронной лампы при положительной обратной связи.| Вольт-амперная характеристика с падающим участком. [7] |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода, а также типовые параметры туннельных диодов приведены в гл. [8]
 |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода.| Простейшая схема включения туннельного диода для генерации колебаний. [9] |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода ( рис. 8 - 2) поясняет рассмотренные диаграммы. Как видно, при и - 0 ток равен йулю. Дальнейшее увеличение прямого напряжения до 0 2 В сопровождается уменьшением туннельного тока. [10]
 |
Эквивалентная схема туннельного диода. [11] |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода имеет падающий участок, поэтому при определенных напряжениях смете -, ния такой диод представляет собой отрицательное сопротивление. [12]
Вольт-амперная характеристика туннельного диода может быть получена путем суммирования кривых туннельного и диффузионного токов. Вольт-амперная характеристика туннельного диода, приведенная на рис. 2.28, существенно отличается от характеристики обычного диода: 1) в туннельном диоде не наблюдается вентильного эффекта ( туннельный диод обладает высокой проводимостью и при отрицательном напряжении); 2) в области небольших положительных напряжений на вольт-амперной характеристике туннельного диода имеется падающий участок, который характеризуется отрицательным дифференциальным сопротивлением и позволяет создавать особые схемы на туннельных диодах. [13]
 |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода.| Эквивалентная схема туннельного диода. [14] |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода ( рис. 19.1), являющаяся характеристикой N-типа, состоит из участка 0 - 1 - 2, обусловленного туннельным эффектом, и участка 2 - 3 - явлением диффузии, происходящей при увеличении напряжения положительного смещения. С увеличением обратного смещения туннельный ток увеличивается с большой скоростью. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5