Cтраница 5
Схема электрической цепи с подобным элементом в виде туннельного диода ТД представлена на рис. 11.1. Предполагается, что параметры цепи и вольт-амперная характеристика туннельного диода известны. [61]
Это выражение, основанное лишь на общих физических рассуждениях, дано Есаки без доказательства, поэтому оно не может являться количественным выражением вольт-амперной характеристики туннельного диода. Тем не менее его простота и наглядность позволяют уяснить физическую природу туннельного диода. [62]
А), что уже при небольших обратном и прямом напряжениях электроны смогут проходить потенциальный барьер за счет туннельного эффекта. Вольт-амперная характеристика туннельного диода изображена на рис. ПО. [63]
Вольт-амперная характеристика туннельного диода может быть получена путем суммирования кривых туннельного и диффузионного токов. Вольт-амперная характеристика туннельного диода, приведенная на рис. 2.28, существенно отличается от характеристики обычного диода: 1) в туннельном диоде не наблюдается вентильного эффекта ( туннельный диод обладает высокой проводимостью и при отрицательном напряжении); 2) в области небольших положительных напряжений на вольт-амперной характеристике туннельного диода имеется падающий участок, который характеризуется отрицательным дифференциальным сопротивлением и позволяет создавать особые схемы на туннельных диодах. [64]
![]() |
Общий вид тензодиода. [65] |
Этих недостатков нет у туннельных тензодиодов. Крутизна вольт-амперной характеристики туннельного диода на отдельных участках сильно зависит от деформации, что связано с изменением ширины запрещенной зоны. [66]
В туннельных диодах используют полупроводники с очень высокой концентрацией донорной и акцепторной примесей. Это приводит к тому, что вольт-амперная характеристика туннельного диода ( рис. 25) значительно отличается от такой же характеристики обычного диода. При высокой концентрации примесей ширина p - n - перехода делается очень малой, а напряженность поля на переходе - большой. [67]