Переключательная характеристика
Cтраница 2
На основании формул (6.3), (6.5) - (6.7), определяющих четыре характерные точки, можно аппроксимировать переключательную характеристику отрезками прямых линий, значительно упростив анализ ИМС ( см. гл. [16]
 |
Схемы с транзистором. а - общий эмиттер. б - общая база.| Параметры переключения транзистора.| Характеристики транзистора. а - общий эмиттер. б - общая база. [17] |
При использовании транзисторов в переключательных схемах наибольший интерес представляет не область проводимости, а области отсечки и насыщения, так как в переключательном режиме транзистор, переходя из состояния отсечки в состояние насыщения и обратно, находится в области проводимости незначительный отрезок времени; поэтому основную роль в этом случае играют переключательные характеристики транзисторов, а не параметры малых сигналов. [18]
Схема 7 - 2 нредставляет собой хорошо сконструированный диодно-транзисторный логический элемент. Эффективные переключательные характеристики диодов комбинируются с характеристиками усиления транзистора, обеспечивая безотказность действия и стабильность. [19]
 |
Схемы логических расширителей по И ( а и по ИЛИ ( б.| Микросхема И-ИЛИ-НЕ. [20] |
ИЛИ часто достигает 10 - 12, тогда как число входов И, как правило, не превышает четырех. Переключательная характеристика элемента И-ИЛИ-НЕ описывается соотношениями, которые были получены для элементов И-НЕ и ИЛИ-НЕ. [21]
По аналогичной структурной схеме построен триггер К178ТР1, входящий в серию К178, отличающийся тем, что в нем используются транзисторные ключи с нелинейной нагрузкой. Это позволяет исключить второй источник питания ЕЗ, однако ценой ухудшения переключательной характеристики триггера и уменьшения его быстродействия. [22]
 |
Микросхема ТТЛ на транзисторах Шоттки. [23] |
В ИМС на рис. 7.24 6 после отпирания фазорасщепителя на транзисторе TI сразу начинается спад выходного потенциала. При этом, пока остается закрытым инвертор на Гз, происходит скалывание переключательной характеристики на величину AUBXR2 / Ri ( см. переключательную характеристику на рис. 7.25 на участке t / BXiOT2 Um ( / вх. Это обстоятельство мо жет послужить причиной уменьшения помехоустойчивости 1 / ГЮм - Включение транзистора Tg в ИМС ( рис. 1.26, а) приводит к существенному уменьшению тока коллектора транзистора Т на участке вх. Поэтому выходное напряжение на этом участке ( в отличие от схемы без дополнительного транзистора Т () практически остается Постоянным ( ср. И только тогда, когда потенциал базы транзистора Гз достигает уровня UOT. T и отпирается инвертор на Гз, наблюдается резкий спад выходного напряжения. Дополнительный транзистор Т используется и в ИМС на обычных транзисторах для улучшения их переключательной характеристики. [24]
 |
Зависимость входного тока смещения от диференциального входного напряжения для компаратора СМР-02. ( С разрешения фирмы Precision Monoliths, Inc. U, 15 В. То р 25 С. [25] |
Обычно полагают, что компаратор представляет собой идеальную переключательную схему, в которой любые сколь угодно малые изменения полярности дифференциального входного напряжения приводят к мгновенному изменению на выходе. В действительности же для малых входных сигналов компаратор ведет себя как усилитель, а его переключательные характеристики зависят от усилительных свойств на высоких частотах. В технических данных на компараторы обычно имеется графа время отклика для различных перегрузок по входу. Увеличение входного напряжения ускоряет процессы, поскольку снижение коэффициента усиления на высоких частотах компенсируется большим сигналом. Кроме того, увеличение внутренних токов усилителя позволяет ускорить заряд внутренных емкостей. [26]
 |
Параметры ИС серий CD4000B и CD4000UB. [27] |
Различие между сериями CD4000A ( рис. 5.19 а) и CD40001 ( рис. 5.19 6) заключается в наличии на выходах ИС послед ней дополнительных буферов для развязки ИС от внешней ере ды. Наличие в серии CD4000B дополнительных выход ных буферов приводит к увеличению задержек сигналов в ЛЭ но улучшает переключательные характеристики. [28]
В ИМС на рис. 7.24 6 после отпирания фазорасщепителя на транзисторе TI сразу начинается спад выходного потенциала. При этом, пока остается закрытым инвертор на Гз, происходит скалывание переключательной характеристики на величину AUBXR2 / Ri ( см. переключательную характеристику на рис. 7.25 на участке t / BXiOT2 Um ( / вх. Это обстоятельство мо жет послужить причиной уменьшения помехоустойчивости 1 / ГЮм - Включение транзистора Tg в ИМС ( рис. 1.26, а) приводит к существенному уменьшению тока коллектора транзистора Т на участке вх. Поэтому выходное напряжение на этом участке ( в отличие от схемы без дополнительного транзистора Т () практически остается Постоянным ( ср. И только тогда, когда потенциал базы транзистора Гз достигает уровня UOT. T и отпирается инвертор на Гз, наблюдается резкий спад выходного напряжения. Дополнительный транзистор Т используется и в ИМС на обычных транзисторах для улучшения их переключательной характеристики. [29]
Поскольку невозможно предусмотреть все уровни входных сигналов, которые могут иметь место в современных сложных многоэлементных матрицах и интегральных схемах, результаты таких статических измерений могут оказаться ошибочными. Некоторые дефектные интегральные схемы проскальзывают через контроль и обнаруживаются лишь при окончательной проверке ла функционирование, которую7 обычно производят уже после того, как пластина с интегральной схемой будет заключена в дорогостоящий корпус. Снижение выхода годных изделий на этой стадии обходится слишком дорого. При этом исходили из того, что такая проверка позволит выяснить на более раннем этапе, все ли интегральные схемы, размещенные на пластине, функционируют нормально. В измерительной системе, собранной на стандартной аппаратуре, переключательные характеристики снимаются на тактовой частоте до 20 Мгц. При этом не возникает заметных паразитных колебаний и шумов. [30]
Страницы: 1 2 3