Cтраница 3
В ИМС на рис. 7.24 6 после отпирания фазорасщепителя на транзисторе TI сразу начинается спад выходного потенциала. При этом, пока остается закрытым инвертор на Гз, происходит скалывание переключательной характеристики на величину AUBXR2 / Ri ( см. переключательную характеристику на рис. 7.25 на участке t / BXiOT2 Um ( / вх. Это обстоятельство мо жет послужить причиной уменьшения помехоустойчивости 1 / ГЮм - Включение транзистора Tg в ИМС ( рис. 1.26, а) приводит к существенному уменьшению тока коллектора транзистора Т на участке вх. Поэтому выходное напряжение на этом участке ( в отличие от схемы без дополнительного транзистора Т () практически остается Постоянным ( ср. И только тогда, когда потенциал базы транзистора Гз достигает уровня UOT. T и отпирается инвертор на Гз, наблюдается резкий спад выходного напряжения. Дополнительный транзистор Т используется и в ИМС на обычных транзисторах для улучшения их переключательной характеристики. [31]