Cтраница 1
Фотоэлектрические характеристики рассмотрены только для полимерных органических полупроводников, так как имеется, обширная литература по фотопроводимости красителей и многоядерных углеводородов. При изложении магнитных свойств систем с сопряженными связями основное взимание уделено сопоставлению электрических и парамагнитных характеристик. [1]
Фотоэлектрические характеристики и значения КПД нескольких типов тонкопленочных кремниевых солнечных элементов, изготовляемых различными методами, представлены в табл. 5.1. В следующих разделах будут рассмотрены факторы, ълияющие на характеристики этих элементов. [2]
Важнейшей фотоэлектрической характеристикой электрографического слоя является фоточувствительность. Единых единиц измерения фоточувствительности электрофотографических слоев пока не существует. [3]
На рис. 5.4.8 приведены фотоэлектрические характеристики этих элементов. С целью поддержания практически равных токов короткого замыкания в элементах толщина собственного слоя контролируемо изменялась в диапазоне 4000 - 6500 А. Как легко предсказать, напряжение холостого хода линейно зависит от оптической ширины запрещенной зоны. [4]
В настоящем разделе приведена методика проверки основных фотоэлектрических характеристик ЭОПов независимо от их применения. [5]
В настоящее время наиболее мощными расчетными методами для нахождения оптических и фотоэлектрических характеристик атомов и молекул являются методы теории моментов. [6]
Микроструктура пленок Cu2S и CdS оказывает существенное влияние на свойства гетероперехода и фотоэлектрические характеристики солнечных элементов типа Cu2S - CdS. Несколькими исследователями были предприняты попытки установить количественную взаимосвязь между параметрами микроструктуры и наблюдаемыми фотоэлектрическими характеристиками элементов. [7]
Существует прямая взаимосвязь между электронными свойствами пленок a - Si: Н и фотоэлектрическими характеристиками изготовляемых на их основе приборов. [8]
Однако многие виды примесей, несмотря на их высокую концентрацию в пленках, незначительно ухудшают фотоэлектрические характеристики приборов. Тем не менее отрицательное влияние некоторых из них, например РЬО, H2S, GeH4 и РНз, оказывается очень существенным. [9]
Эти свойства пленок не только полезны, но и необходимы для создания солнечных элементов с хорошими фотоэлектрическими характеристиками. Для изготовления приборов в наибольшей степени подходят пленки, осаждаемые в тлеющем разряде, возбуждаемом в силане. Элементы, создаваемые с помощью высокочастотного ионного распыления, обладают худшими характеристиками, однако в силу ряда особенностей процесса распыления его можно признать перспективным для приготовления тонких пленок. [10]
Он можето быть изготовлен чувствительным к области 1050 - 2500 А, причем спектральная характеристика будет определяться фотоэлектрической характеристикой катода абсорбционными и фотоионизационными свойствами наполняющих газов. Комбинируя длинноволновый предел чувствительности счетчика, который определяется подбором соответствующих наполняющих газов, и коротковолновый предел при помощи различных фильтров, можно получить для этой области ультрафиолета относительно узкую полосу чувствительности. [11]
Разработаны две модификации конструкции солнечных элементов с р - i-л-структурой ( см. рис. 6.8, в), обеспечивающие хорошие фотоэлектрические характеристики. [12]
Характеристики делят на фотоэлектрические, конструктивные и эксплуатационные. Фотоэлектрические характеристики являются наиболее важными, так как характеризуют такие свойства приемника, знание которых обязательно при выборе того или иного типа приемника. [13]
Предварительный анализ показал, что при рассмотрении модуля в качестве основной единицы при исследовании влияния затенения потеря точности минимальна. Для получения фотоэлектрических характеристик модуля в стандартных условиях обычно используют два метода. Второй метод основан на использовании экспериментальных данных для модульного блока, экстраполированных в случае необходимости на степень освещенности батареи. Сравнение двух методов показало, что второй более точен, так как погрешность в расчетах выходной мощности элементов исключается. В связи с наличием большого объема экспериментальных данных по модулю был выбран второй метод. [14]
В работе [1141] предполагается, что существует взаимосвязь между тем, насколько легко окисляется мероцианин, и квантовым выходом фотоэффекта этого вещества. Однако проверить справедливость этого утверждения достаточно трудно, поскольку фотоэлектрические характеристики солнечных элементов плохо воспроизводятся. Их свойства сильно зависят от степени кристалличности, природы и распределения легирующих примесей, устойчивости красителя к действию освещения. [15]