Cтраница 2
Микроструктура пленок Cu2S и CdS оказывает существенное влияние на свойства гетероперехода и фотоэлектрические характеристики солнечных элементов типа Cu2S - CdS. Несколькими исследователями были предприняты попытки установить количественную взаимосвязь между параметрами микроструктуры и наблюдаемыми фотоэлектрическими характеристиками элементов. [16]
Как показали измерения [8.48], ПРИЗ имеет чрезвычайно низкий уровень собственных шумов, по-видимому, рекордно низкий среди известных ПВМС. Этому способствует простота конструкции ПРИЗа, а также то, что фоторефрактивные кристаллы типа BSO, из которых изготавливается ПРИЗ, могут быть получены достаточно высокого качества как по оптическим, так и по фотоэлектрическим характеристикам. В связи с этим собственные шумы модулятора ПРИЗ, как правило, меньше суммарных шумов других элементов оптических систем, в которых он может использоваться. [17]
Чу и Сингх [21] установили, что пассивация границ зерен с помощью сильного легирования способствует улучшению тем-новых вольт-амперных характеристик солнечных элементов на основе пленок Si, нанесенных на подложки из металлургического кремния посредством химического осаждения из паровой фазы. Авторами также отмечено, что параметры как прямых, так и обратных вольт-амперных характеристик солнечных элементов со структурой я Si - p - Si - металлургический кремний значительно превосходят соответствующие параметры элементов со структурой я Si - p - Si - металлургический кремний, причем улучшение свойств перехода сопровождается улучшением фотоэлектрических характеристик. Основываясь на результатах измерений тока, наведенного электронным лучом, и вольт-амперных характеристик, Сигер и др. [30] приходят к выводу о том, что насыщение границ зерен поликристаллических солнечных элементов водородом оказывает благоприятное влияние на их параметры. Гидрогенизация элементов позволяет заметно улучшить темновые вольт-амперные характеристики ( см. рис. 5.3) и очень существенно понизить обратный ток. [18]
При этом предполагается, что все цепи преобразования сигналов свободны от искажений, шумов и взаимных помех. Эталонное воспроизводящее устройство должно нормально работать от сигналов, получающихся в любой части телевизионной системы - в студии, передатчике или приемнике. В нем допускается единственный нелинейный элемент - прибор для индикации изображений, переходные фотоэлектрические характеристики которого должны быть такими же, как и у студийного контрольного индикатора ( монитора), используемого режиссером. Уровень черного должен устанавливаться по усмотрению режиссера, под руководством которого формируются сигналы. [19]
Исчерпывающий обзор литературы по тонким полупроводниковым пленкам выходит за рамки этой книги. В данной главе мы ограничимся рассмотрением тех полупроводниковых материалов, которые применяются или могут быть использованы для изготовления тонкопленочных солнечных элементов. Кроме того, будут обсуждаться только те свойства пленок, которые влияют на фотоэлектрические характеристики элементов. Поскольку тонкие полупроводниковые пленки по своим параметрам существенно отличаются друг от друга в зависимости от вида материала и метода его осаждения, мы рассмотрим характерные особенности конкретных материалов и проведем сравнение пленок, получаемых различными методами. В разделах 3.4 и 3.5 будет дано краткое описание свойств пленок металлов и диэлектриков, которые являются неотъемлемой частью тонкопленочных солнечных элементов, в частности элементов с барьером: Шоттки и со структурой проводник - диэлектрик - полупроводник. [20]
Выбор модели для обменной структуры никеля и кислорода до некоторой степени зависит от относительных эффективных размеров атомов кислорода и никеля в поверхностном монослое. Вероятно, они не совпадают с размерами внутри кристаллической решетки окиси никеля, поскольку очевидно, что из-за различия в числе ближайших соседей характер связей и электронные переходы в обоих случаях также различаются. Весьма сомнительно, чтобы для поверхностного монослоя кристалла никеля, состоящего из кислородных и никелевых атомов, была применима жесткая сферическая модель. Следует отметить, что фотоэлектрические характеристики такой поверхности соответствуют фаулеровской кривой для металлов, в то время как после образования на поверхности полупроводящего окисла это не должно иметь места. [21]
Как видно из рис. 11, о, половина атомов никеля в каждой иго рой и-л параллельных плоскостей ( 100) заменена на атомы кислорода, а остальные плоскости ( 100) содержат только атомы никеля. Кислородные атомы расположены в углах простого куба, так что каждый кислородный атом в объеме окружен двенадцатью ближайшими соседними атомами никеля. На каждый атом кислорода приходится три атома никеля, что отвечает формуле NisO. Как упоминалось ранее, фотоэлектрические характеристики решетки Ni3O соответствуют скорее металлу, чем полупроводнику. [22]
Получение высокочистых селена и теллура в настоящее время является важной проблемой в связи со все растущей потребностью народного хозяйства в этих металлах. Элементарный селен широко используется для изготовления выпрямителей, фотоэлементов, в электронографии. На основе селена и теллура получены сплавы с высокими термо - и фотоэлектрическими характеристиками. Так, мйк-ропримеси кадмия изменяют электропроводность селена. Таллий очень сильно влияет на кристаллизацию селена. Чем больше таллия, тем более крупнозернистым получается селен. Наличие таллия также сказывается на тепло - и электропроводности селена. Примеси кислорода в селене в количествах 10 - 4 - 10 - 5 % изменяют проводимость селена. Также сильное влияние оказывают следы влаги. [23]
Получение высокочистых селена и теллура в настоящее время является важной проблемой в связи со все растущей потребностью народного хозяйства в этих металлах. Элементарный селен широко используется для изготовления выпрямителей, фотоэлементов, в электронографии. На основе селена и теллура получены сплавы с высокими термо - и фотоэлектрическими характеристиками. Однако микропримеси различных металлов, а также кислорода и галогенов оказывают большое влияние на свойства получаемых на основе селена и теллура полупроводниковых материалов. Так, мйк-ропримеси кадмия изменяют электропроводность селена. Таллий очень сильно влияет на кристаллизацию селена. Чем больше таллия, тем более крупнозернистым получается селен. Наличие таллия также сказывается на тепло - и электропроводности селена. Примеси кислорода в селене в количествах 10 - 4 - 10 - - 5 % изменяют проводимость селена. Также сильное влияние оказывают следы влаги. [24]