Электрическая характеристика - прибор
Cтраница 1
Электрические характеристики прибора связаны с переходом Cu2S - CdS. Некоторые авторы [7] даже связывают возрастание чувствительности в области 5800А с генерацией электронно-дырочных пар в сульфиде меди. [1]
И, наконец, разброс электрических характеристик приборов при электролитическом способе травления значительно меньше, чем при химическом травлении поверхности. [2]
Разработчикам схем нужны лишь количественные описания внешних электрических характеристик приборов, которые имели бы требуемую точность и были достаточно простыми. Сложные модели полупроводниковых элементов ИС, учитывающие особенности структуры: геометрические размеры и форму областей, параметры р - n - переходов, изолирующие слои, расположение и форму контактных площадок ( рис. 10.9), концентрацию и подвижность носителей заряда, электрофизические характеристики материалов - предназначены в основном для разработчиков приборов. Однако с целью учета схемных критериев при отработке небольших компоновочных блоков ИС используют схемотехническое проектирование с применением физико-топологических моделей. Кроме того, подобные модели могут быть полезны для получения параметров моделей более простой структуры или макромоделей. [3]
Элементы измерительной схемы с реохордом обеспечивают стабильность электрических характеристик приборов. Сопротивления измерительной схемы намотаны на катушки и хорошо доступны для смены пределов измерения. [4]
Однако такой контроль оказывает очень небольшое влияние на электрические характеристики приборов. [5]
Моделирование ставит своей задачей установление связей между физическими параметрами и электрическими характеристиками приборов. Особенно необходимо моделирование при разработке интегральных микросхем, когда по простым и точным моделям приборов удается определить поведение сложной схемы. [6]
Окончательный выбор процесса обработки должен обеспечивать отсутствие влияния нарушенного слоя на электрические характеристики приборов и удовлетворять требованиям высокой разрешающей способности в последующих технологических процессах. На рис. 11 - 2 приведена схема механической обработки кремниевых пластин. Перед проведением эпитаксии применяется газовое термическое травление подложек, которое проводится в тех же аппаратах. [8]
Уменьшение расстояния связано с техническими трудностями и может привести к ухудшению электрических характеристик прибора. Увеличение времени жизни - значительно более выгодный путь, но, к сожалению, представляет собой одну из труднейших задач в производстве германия для изготовления полупроводниковых усилителей. [9]
Предложена методика выбора необходимых соотношений между физическими параметрами структуры для получения требуемых электрических характеристик прибора. [10]
В этом случае активная часть прибора располагается в тонком высокоомном слое, параметры которого определяют электрические характеристики прибора, а толстая низкоомная подложка обеспечивает механическую прочность. Использование такой структуры приводит к значительному уменьшению последовательного сопротивления полупроводника в коллекторе и, что самое главное, ограничивает область, в которой возможно расширение нейтрального базового слоя. Использование эпитаксиальной технологии для создания лавинного транзистора предъявляет очень жесткие требования к однородности и совершенству кристаллической структуры эпитаксиально наращенного слоя. [11]
Существует несколько технологически различных методов получения диффузионных транзисторов, причем очень часто различие в технологии приводит и к различным электрическим характеристикам прибора. [12]
 |
Структура интегрального биполярного транзистора ( а и ее двумерный ( в плоскости XZ электрический аналог ( б. [13] |
Проектирование полупроводниковых приборов и интегральных схем с помощью ЭВМ эффективно в полной мере только с применением моделей, связывающих электрические характеристики прибора с его электрофизическими и геометрическими параметрами. [14]
Для окончательного выбора удельных сопротивлений материала базовой и эмиттерной областей необходимо учитывать и другие факторы, оказывающие влияние на электрические характеристики прибора. [15]
Страницы: 1 2