Электрическая характеристика - прибор
Cтраница 2
Целью статьи является рассмотрение процессов, протекающих в нового рода приборах, изложение методов их изготовления, а также анализ электрических характеристик приборов. Хотя в статье рассматриваются главным образом двухэлектродные приборы, но большая часть выводов применима и к трехэлектродным приборам. [17]
 |
Схематическое устройство легирования концентрация диффузионно-базового транзистора месей максимальная у самой по. [18] |
В настоящее время существует несколько технологически различных методов получения дрейфовых транзисторов, причем очень часто различие в технологии приводит и к различным электрическим характеристикам прибора. [19]
Одной из важнейших задач химической обработки является удаление загрязнений с поверхности полупроводниковых приборов, так как, находясь вблизи электронно-дырочного перехода, эти загрязнения оказывают большое влияние на электрические характеристики приборов и их стабильность по времени. [20]
 |
Структура гидра - [ IMAGE ] - 47. Образование сложной. [21] |
Изменение характера оксидного слоя меняет величину и знак заряда поверхности. Это в свою очередь приводит к изменению электрических характеристик приборов. [22]
Эта книга представляет собой как бы вводную часть 11-том-ного курса лекций по микроэлектронике издательства Иванами сетен. В ней изложены основы физики полупроводников и освещены их свойства, необходимые для понимания электрических характеристик приборов; рассмотрены принципы работы различных полупроводниковых приборов; описана технология получения исходных материалов для полупроводниковых приборов и ИС, а также базовые технологические процессы их изготовления; даны типовые структуры биполярных и МОП ИС; представлены ИС на полупроводниках группы AIHBV и элементах Джозефсона. Книга содержит много конкретных примеров и необходимых пояснений. [23]
Детали и узлы, прошедшие описанную выше обработку, конечно, можно считать только1 относительно чистыми от примесей, растворимых в воде. Однако тщательная последующая промывка их в воде с очень высоким удельным электрическим сопротивлением значительно улучшает электрические характеристики приборов. [24]
Другим примером могут служить микротрещины в изоляторе, появившиеся из-за незначительного различия в коэффициентах линейного расширения ковара и стекла. Их трудно обнаружить при заводском контроле и испытаниях готовых приборов, но во время эксплуатации при нагреве через эти трещины будет засасываться влага и лишь после многих термоциклов, возможно через сотни и более часов работы, ее наберется такое количество, которое вызовет ползучесть электрических характеристик прибора. [25]
Основной недостаток диффузионных методов введения примесей заключается в том, что процессы диффузии и маскирования защитным окислом SiO2 происходят при очень высоких температурах. В результате проведение последующих операций окисления и диффузии вызывает перераспределение примесей, введенных ранее. Это приводит к ухудшению электрических характеристик приборов и создает дополнительные технологические трудности при изготовлении ИС. [27]
Универсальная клеммная панель 11 рассчитана на присоединение 24 источников напряжения ( 48 зажимов) и имеет доступ с задней стороны прибора. Складывающиеся соединительные провода 12 позволяют устанавливать и выдвигать шасси ( кронштейн) 13 прибора, а также допускают в случае необходимости замену другим шасси, имеющим аналогичные электрические характеристики. Предохранитель 14 имеет доступ с лицевой стороны прибора. Проверка электрических характеристик прибора и его градуировки на шкале 15 может производиться с лицевой стороны прибора. [28]
Страницы: 1 2