Инверсия - населенность
Cтраница 1
Инверсия населенностей может быть создана в результате таких внешних воздействий, как разряд в газах, возбуждение светом или электронным пучком, инжекция носителей заряда р-п-пере-ходом. [1]
 |
Схема энергети - ло что генерирование ( или усиле-ческих переходов в кван - ние происходит за счет индуцированно-товых генераторах и уси - го перехода с уровня 3 на уровень 2 лителях. (. [2] |
Инверсия населенностей возможна при определенных параметрах квантовой системы и достаточной мощности вспомогательного излучения. [3]
 |
Материалы полупроводниковых лазеров. [4] |
Инверсия населенностей для перехода с энергией tuo возникает при условии & F FC - / rllfico. [5]
 |
Лазер на рубине. а - схема уровней Сг3. б - рубиновый стержень. в - схема генератора.| Схема подсветки через торец. [6] |
Инверсия населенности создается здесь за счет ипжекции носителей тока через р - - переход. [7]
 |
Лазер на рубине. а - схема уровней Сг3. б - рубиновый стержень. в - схема генератора.| Схема подсветки через торец. [8] |
Инверсия населенности создается здесь за счет инжекции носителей тока через р - re - переход. [9]
Инверсия населенностей в полупроводнике создается рядом способов: инжекцией электронов и дырок в полупроводник из р-п-перехода, бомбардировкой электронным пучком, оптической накачкой, ударной ионизацией. [10]
Инверсия населенностей в таком лазере достигается высоким уровнем инжекции электронов и дырок в узкозонную часть. [11]
При инверсии населенности вследствие вынужденных переходов происходит выделение энергии, и поэтому RM 0, что эквивалентно уменьшению ( компенсации) потерь. [12]
Для получения инверсии населенностей используется много различных методов. В 1954 г. был создан первый мазер [6], в котором инверсия населенностей достигалась путем пространственного разделения энергетических состояний молекул аммиака. Электрическое поле Е вдоль оси равно нулю и возрастает с увеличением расстояния от оси. Статическое электрическое поле, приложенное к индуцированному дипольному переходу, изменяет энергию состояний молекул таким образом, что в области сильного поля энергия верхнего состояния увеличивается, а энергия нижнего - уменьшается. [13]
Способ получения инверсии населенностей для гелий-неонового лазера был рассмотрен в § 2; теперь займемся рассмотрением пороговых требований и выходной мощности в стационарном режиме. Существенное различие между газовым лазером и твердотельными рубиновым или неодимовым лазерами состоит в том, что активные молекулы в газовом лазере имеют различные частоты переходов вследствие движения молекул газа. [14]
Поэтому состояние инверсии населенностей иногда называют состоянием с отрицательной температурой. Среда, в которой осуществлена инверсия населенностей, называется активной средой. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5