Инверсия - населенность
Cтраница 2
Для создания инверсии населенности используется метод электрического разряда. [16]
Рассмотрим теперь инверсию населенностей и работу лазера в случае, когда такая инверсия создается между зоной проводимости и валентной зоной в полупроводнике. [17]
 |
Кривые зависимости выходной энергии ОГК с управляемой добротностью от начальной величины Д0 инверсной населенности и длины активного вещества. [18] |
При каждом импульсе инверсия населенности уменьшается до величины, меньшей мгновенного значения порога в момент генерации. Генерация прекращается до последующей стадии процесса включения затвора, когда снова снизится порог генерации. [19]
 |
Интерферометр Маха - Цендера, каждое плечо которого содержит усилитель света, что. [20] |
Предполагается, что инверсия населенностей поддерживается некоторой системой оптической накачки, так что она ведет себя подобно резервуару. [21]
 |
Энергетическая схема сверхструктуры ( мини-зоны заштрихованы. [22] |
В остальных местах инверсия населенностей отсутствует н преобладает поглощение света. Если усиление света в активной области столь велико, что оно компенсирует и потерн в пассивной области и выход световой энергии вовне, то возникает генерация света. [23]
В газовых лазерах инверсия населенностей достигается в процессе газового разряда. Эти лазеры характеризуются высокой монохроматичностью, острой направленностью излучения, что, несмотря на малые мощности ( около 100 мВт) и КПД ( Ю-2 - 10 - 3 %), обуславливает их широкое применение. [24]
Температура Та при инверсии населенности отрицательна. Формально получается, что при отрицательных R R Т произведение их в (11.32) остается положительным. Считается, что для расчета шумовых характеристик активной квантовой среды можно использовать обычные формулы, но только вместо положительной температуры среды необходимо подставлять отрицательную температуру энергетического перехода, а вместо сопротивления R - отрицательное сопротивление активной среды. [25]
В молекулярном генераторе инверсия населенностей достигается с помощью квадрупольного конденсатора, который отделяет молекулы, находящиеся на верхнем уровне, от молекул, находящихся на нижнем уровне. [26]
 |
Зонные диаграммы р-п перехода. [27] |
В инжекционных лазерах инверсия населенности достигается при высоких уровнях инжекции, при этом для выполнения условия (5.29) материал хотя бы одной из областей ( р или п) должен быть вырожденным. [28]
Существуют методы создания инверсии населенности в двухуровневых системах [2], однако усиление при этом носит нестационарный во времени характер, что для практич. [29]
Другой способ получения инверсии населенностей достигается в р-п переходе, образованном вырожденными полупроводниками п и р-типов. Если к такому р-п переходу приложить электрическое напряжение в прямом направлении, то через переход потечет электрический ток, образованный электронами и дырками. Электронные и дырочные компоненты тока двигаются навстречу друг другу. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5