Ход - зависимость
Cтраница 2
Ход зависимостей неплавный, что связано с проявлением аномалий Вуда. [16]
Ход зависимостей на рис. 55 показывает, что коэффициент прохождения стремится к единице с увеличением частоты по сложному закону. Учет всех членов асимптотики (2.23) в целом лучше описывает среднее значение зависимостей Woo ( xg) ( рис. 55, штрих-пунктирные кривые), не отражая, однако, характера изменения кривых в окрестности критических точек. [18]
Ход зависимости QH от ап, представленный на рис. 7 для феррита 21, типичен для всех магнитострикционных ферритов: при оптимальном подмагничивании наблюдается быстрое падение добротности с ростом ап; при сильном подмагничивании, вблизи насыщения, добротность падает значительно меньше. Зависимость QH от ап при оптимальном подмагничивании выражена тем сильнее, чем больше величина К материала. Этот факт можно объяснить большой крутизной кривых намагничивания этих ферритов, вследствие чего они насыщаются быстрее других, так что при HQ - 300 э их добротность близка к собственной механической добротности керамики, в которой заторможены доменные процессы. [20]
Ход зависимости YI и Y2 от концентрации в растворах ШО ( 1) - КОН ( 2) и др. ( см. выше) показывает, что уравнение (4.48), учитывающее только первый член разложения в ряд (4.46), в этих случаях перестает быть применимым уже при сравнительно малых концентрациях. [21]
 |
Зависимость сечения реакции D ( d, n He3 от энергии дейтронов. [22] |
Ход зависимости сечения этих реакций от энергии дейтронов весьма различен. [23]
Ход зависимости скорости дрейфа vd от электрического поля g, полученной в работе Ганна, показан на фиг. [24]
Ход зависимости интегральной светосуммы от концентрации церия показывает, что введение в стекло церия в концентрации даже 0.1 % снижает интенсивность полосы термовысвечивания более чем вдвое, что, по-видимому, вызвано уменьшением числа центров захвата. Существенное значение также может иметь уменьшение числа центров свечения, если считать, что эти центры энергетически и структурно отличаются от существующих в стекле электронных и дырочных центров захвата. [25]
 |
Кинетические кривые набухания LiU - C4HeOB ( OC6Hu 3 ] в гептане.| Кинетические кривые набухания Li [ - C4H9OB ( OC12H26 3l. [26] |
Ход зависимости поглощения растворителя характеризует процесс как неограниченное набухание комплексов. Эти процессы зависимы друг от друга и протекают параллельно. При сильном разбавлении полиассоциатов комплексов межфазное пространство увеличивается, а внутриассоциативное набухание прекращается. [27]
 |
Зависимость от оптической плотности поглощения в максимуме по-лосы 1100 нм в стеклах серии 40 РЬО. [28] |
Ход зависимости молекулярной магнитной восприимчивости ( хм) ионов железа от концентрации Fe203 в стекле свидетельствует о несколько различном распределении ионов железа в структуре стекла в магнито-разбавленном и магнитоконцентрированном состояниях. [29]
 |
Удельные веса ( кг / ква генераторов 7 5 ква с емкостными стабилизаторами напряжения в зависимости от частоты. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5