Cтраница 3
Такой ход зависимостей ( рис. 7 - 83) отличается от хода подобных зависимостей для генераторов с электромагнитным возбуждением. Как показали исследования, приведенные на кафедре ЭСА МЭИ, при скоростях вращения я6 000 и 12000 об / мин и мощности генераторов Рт7 5 ква эти зависимости носят возрастающий характер при частотах свыше 800 гц. Таким образом, при повышенных частотах генераторы с постоянными магнитами становятся более конкурентоспособными по сравнению с генераторами с электромагнитным возбуждением. [31]
Из хода зависимости е от Л следует несколько очень важных выводов, на которых должна основываться Теория ядерных сил. [32]
![]() |
Зависимость интегральной поглощательной способности алюминия от температуры абсолютно черного источника излучения. [33] |
Такой ход зависимости а от температуры источника излучения объясняется тем, что с ростом температуры источника спектральный состав падающего излучения обогащается коротковолновыми составляющими. В результате этого, в соответствии с рис. 2 - 17, поглощательная способность полированного алюминия увеличивается, в то время как поглощательная способность окисленного - уменьшается. [34]
Такой ход зависимостей в области II связан с образованием осадка РЬ ( ОН) 2 и, следовательно, с уменьшением концентрации ионов РЬ в растворе. [35]
![]() |
Эквивалентная электрическая схема ткани и частотная зависимость ее импеданса.| Частотная зависимость импеданса биологической ткани. [36] |
Общих ход зависимости свидетельствует о плавном уменьшении импеданса с увеличением частоты. При этом четко проявляются три интервала частот, в которых величина Z медленнее меняется с частотой по сравнению с общим ходом кривой. Они названы, соответственно, областями а -, ( 3 - и 7-дисперсии. [37]
Такой ход зависимости п от АО называется аномальной дисперсией. [38]
Такой ход зависимости п от Х называется аномальной дисперсией. [39]
Такой ход зависимости анодного тока от ускоряющего напряжения объясняется дискретностью энергетических уровней атомов ртути. [40]
Этот ход зависимости теплоемкости водорода от температуры можно объяснить, если допустить, что энергия не распределяется равномерно по степеням свободы молекул и что число степеней свободы двухатомных молекул с повышением температуры становится больше. [41]
На ход зависимости неполупроводниковых свойств ( например, в системе германий - фосфор) от мольной доли В появление в решетке А неэлектронного аналога В отражается нерезко. Но полупроводниковые характеристики в этом случае претерпевают серьезнейшие изменения: например, вместо плавного изменения ширины запрещенной зоны А. ЕА в сторону увеличения или уменьшения в зависимости от величины ДЕ в наблюдается совокупность изменений, позволяющих различить три стадии образования структуры замещения или три случая твердого раствора замещения: стадия слабого легирования; стадия умеренного ( промежуточного) легирования и, наконец, стадия сильного легирования. [42]
Такой ход зависимости плотности критического теплового потока от концентрации НК-компонента легко объяснить, если учесть, что кризис теплообмена при кипении непосредственно связан с гидродинамикой пристенного двухфазного слоя. Как уже отмечалось, при кипении смесей уменьшение коэффициента теплоотдачи с ростом значения Аснк, а также производной Ын / дсяк обусловлено снижением числа действующих на единице 0 15 поверхности центров парообразования z, скорости роста паровых. Авторы работы [203] установили, что значение d0 уменьшается с ростом Ас и, наоборот, увеличивается при уменьшении последней. Очевидно, что чем меньше Рис 3 15 Зависимость qKfl от ЧИСЛО Действующих центров паро - массовой концентрации с нк при образования И отрывной диаметр кипении бинарных смесей органи-пузыря, тем при большей плотно - ческпх жид сътеемйе. [43]
![]() |
Зависимость электрокииетического ( а и электрохимического ( б потенциалов стекла от концентрации водных растворов электролита ( в моль / л. [44] |
Однако такой ход зависимости р ( л) ( где х - направление нормали к плоской межфазной поверхности) не является обязательным и не следует из того факта, что фс существует. Напротив, можно было бы предположить, что изменение потенциала при переходе от одной фазы к другой будет происходить постепенно, в соответствии с особенностями строения вещества в области межфазной границы, и, следовательно, определяться не только состоянием внутри фаз. Если бы двойной слой представлял собой молекулярный конденсатор, как следует из схемы Квинке, то потенциал ф0 и - потенциал обязательно были бы равны. Однако эксперимент показывает, что это неверно. [45]