Cтраница 3
Экспериментальные данные получены пока для той области спектра, в которой все три случая приводят к аналогичному ходу A f / AUf. Тем не менее некоторое предпочтение можно отдать третьему варианту, когда d i / dq в равной мере зависит от свойств обеих связей. Поэтому, хотя третий вариант пока и является наиболее оптимальным, окончательное решение этого вопроса возможно только после тщательных спектральных исследований тройных смесей с участием сильных протоноакцепторных растворителей. [31]
При взаимодействии Zn2 и Си2 - по-нов с комплексоном также выделяются три эквивалента ионов водорода и кривые титрования имеют аналогичный ход с кривыми титрования никеля, что является свидетельством образования аналогичных комплексов. [33]
Наиболее простой способ исключения этого источника погрешности состоит в применении в качестве монитора определяемого элемента или элемента, имеющего аналогичный ход интегральной кривой возбуждения. Возможно также использование различных систем стабилизации энергии излучения. Предварительные оценки показывают, что при стабилизации максимальной энергии тормозного излучения в пределах 15 кэв этот фактор не оказывает влияния на точность получаемых результатов. [34]
При взаимодействии Zn2 и Си2 - no - нов с комплексоном также выделяются три эквивалента ионов водорода и кривые титрования имеют аналогичный ход с кривыми титрования никеля, что является свидетельством образования аналогичных комплексов. [36]
Для насыщенных растворов четыреххлористого углерода выше ТМР прямой расчет термодинамических параметров по экспериментальным данным растворимости не представляется возможным по причине технических трудностей определения плотности пикнометрическим способом в области температур выше 313 К, Поэтому в дальнейшем будем полагать, что в силу аналогичного хода температурных зависимостей растворимости фуллерена в четыреххлористом углероде и толуоле будут иметь аналогичные величины и соответствующие термодинамические характеристики насыщенных растворов С60 в данных растворителях. [37]
Но скорость структурообразования, особенно в интервале температур 60 - 90 С, намного опережает накопление новообразований, что, как и в случае C3S, на наш взгляд, позволяет считать, что иногда нет аддитивной зависимости между количеством гидратных новообразований и синтезом прочности материала. Аналогичный ход кривых кинетики структурообразования цементных дисперсий и C3S в третьей стадии структурообразования при всех температурах указывает на доминирующую роль гидросиликатов в этой стадии формирования структуры. [39]
Задачи, введенные на шаге 4, допускают любую из этих возможностей. Аналогичный ход рассуждений справедлив для любого подцикла. Использование под-циклов как источников формирования новых задач на шаге 4 является отличительной особенностью этой модификации по сравнению с алгоритмом, рассмотренным в предыдущем разделе. [40]
Полученные результаты могут быть объяснены следующим образом. Примерно аналогичный ход кривых выгорания и зависимости почернения от силы тока для хлоридов, фторидов, нитратов и окислов может быть получен в том случае, если все эти соединения в разряде переходят в одну и ту же химическую форму, например в случае восстановления или термического разложения до свободного металла. [42]
Основной причиной этого эффекта, по-видимому, являются различия в гидратации разных катионов, поскольку отличия в поверхности пренебрежимо малы. Аналогичный ход изменений Зайферт наблюдал для катионо-обменного монтмориллонита, хотя в этом случае различия в теплотах были значительно больше. Энергия набухания пластиночек, составляющих первичные частицы этого вещества, может быть значительной [30] и в различной степени изменяться от образца к образцу. [43]
В случае необходимости достижения больших глубин превращений яри экзотермических процессах, описываемых криволинейными кинетическими графиками, в начальных стадиях реагирования ( на первых 15 - 20 % длины аппарата) обычно наблюдаются быстрый подъем и последующее падение температуры с относительно равномерным режимом во второй части реактора ( см. фиг. Аналогичный ход температур наблюдается при сравнительно невысоких выходах за проход, но очень больших тепловых эффектах процесса и низких тепло-емкостях реагирующих продуктов ( см. фиг. [44]
Интересно сравнить этот рисунок с рис. 4.5, на котором изображены аналогичные графики для нестехиометрического полупроводника. При сравнении бросается в глаза аналогичный ход прямых для доминирующих заряженных дефектов в каждой из различных областей давлений I - III. Существенное отличие обоих типов нестехиометрических соединений наблюдается только в области I, прилегающей к стехиометрическому составу. Здесь оба соединения имеют различный тип доминирующих собственных дефектов: полупроводник - электронные дефекты, ионный кристалл - ионные. [45]